能否成功使用 GaN 器件（特別是 LMG3425R030）取決于能否正確使用器件。使用 LMG3425R030 時，務必：
- 仔細閱讀數據表（包括：應用手冊與布局建議），完全理解所載內容。
- 采用四層電路板，并且將返回電源路徑置于內層，以便最大限度減小電源環路電感。
- 采用小型表面貼裝旁路與總線電容器，以便最大限度減小寄生電感。
- 根據“布局指南”相應說明，采用尺寸合適的去耦電容器，并且放置在靠近 IC 的位置。
- 采用信號隔離器，以便為低側器件提供輸入信號。如果未采用，請確保信號源連接至信號 GND 平面，該平面僅在 LMG3425R030 IC 處與電源相連。
- 采用“故障”引腳確定加電狀態，檢測過流與過熱事件，以及安全地關閉轉換器。
為避免利用 LMG3425R030 時系統出現問題，請勿：
- 為 LMG3425R030 采用單層或雙層印刷電路板，因為電源回路與旁路電容器電感過大，會妨礙集成電路的正常運行。
- 將旁路電容值降至建議值以下。
- 讓器件受到超過 600V 的漏極瞬態電壓，這可能會導致器件損壞。
- 讓器件在關斷或未通電情況下進行大量的第三象限導通，這可能會導致過熱。該工作模式下，自我保護功能無法為器件提供保護。
- 忽視“故障”引腳輸出。