ZHCSV83 March 2024 LMG3425R030
PRODUCTION DATA
LMG3425R030 GaN FET 具有集成式驅動器和保護功能,適用于開關模式電源轉換器,能夠讓設計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度與效率。
LMG3425R030 集成了一個硅驅動器,可實現(xiàn)高達 150V/ns 的開關速度。與分立式硅柵極驅動器相比,TI 的集成式精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關 SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術相結合,可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和超小的振鈴。可調柵極驅動強度允許將壓擺率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之間,這可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關性能。
高級電源管理功能包括數(shù)字溫度報告、故障檢測和理想二極管模式。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進行報告,這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引腳。理想二極管模式通過啟用空載時間控制功能的方式降低第三象限損耗。