ZHCSYD2A June 2025 – October 2025 LM51772-Q1
PRODUCTION DATA
在此配置中,電流檢測對器件的峰值電流限制具有內部反饋。ILIM 電路將 ILIMCOMP 電壓調節至 V(ISET),并優先于電壓環路調節。
只要 ISNSP 和 ISNSN 之間的差分電壓超過 ILIM 電路的內部失調電壓,電感器峰值電流就會降低。可以通過寄存器編程或 ILIMCOMP 引腳中的 ISET 電阻器來設置 ILIM 閾值。
如果通過電阻器選擇電流限制閾值,則在 V(ISET) 增加至閾值電壓(典型值為 1V)后,調節將優先于電壓環路。ISET 的閾值電壓可以使用以下公式進行計算:
因此,用于選擇電流限制閾值電壓的電阻值通過以下公式進行計算:
為實現高頻噪聲抑制,必須將基于以下公式的電容器與 R(ISET) 并聯放置
如果電流限制閾值由內部 DAC 編程設定。通過在 ILIMCOMP 引腳上的電阻-電容網絡,可針對不同負載優化電流限制控制環路的帶寬。對于電阻負載,可根據以下公式選擇簡單的積分器補償:
其中 CO2 是平均電流檢測電阻 R(SNS) 之后的電容
fbw 是電壓環路補償的帶寬(請參閱電壓調節環路)
其中 CO 是由電壓環路計算和應用電壓紋波要求決定的總輸出電容。
其中 CO1 是平均電流檢測電阻器 R(SNS) 之前的電容
對于電子負載(CC 模式或 CR 模式),在大多數情況下需要 II 型補償網絡。以適應所用電子負載的內部調節環路及其帶寬。有關更詳細的優化信息,請參閱快速入門計算器工具。
如果通過電阻器而不是內部 DAC 來選擇電流限制閾值,則在 V(ISET) 增加至閾值電壓(典型值為 1V)后,調節將優先于電壓環路。ISET 的閾值電壓可以使用以下公式進行計算:
因此,用于選擇電流限制閾值電壓的電阻值通過以下公式進行計算:
為實現高頻噪聲抑制,必須將基于以下公式的電容器與 R(ISET) 并聯放置
“ILIM_THRESHOLD”控制寄存器的讀取寄存器值被鉗制在寄存器范圍的下限和上限。