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ZHCSYD2A June 2025 – October 2025 LM51772-Q1

PRODUCTION DATA

在此配置中，電流檢測對器件的峰值電流限制具有內部反饋。ILIM 電路將 ILIMCOMP 電壓調節至 V_(ISET)，并優先于電壓環路調節。

只要 ISNSP 和 ISNSN 之間的差分電壓超過 ILIM 電路的內部失調電壓，電感器峰值電流就會降低。可以通過寄存器編程或 ILIMCOMP 引腳中的 ISET 電阻器來設置 ILIM 閾值。

如果通過電阻器選擇電流限制閾值，則在 V_(ISET) 增加至閾值電壓（典型值為 1V）后，調節將優先于電壓環路。ISET 的閾值電壓可以使用以下公式進行計算：

方程式 15.

{V_{(ISET)} = (V_{(I S N S P)} - V_{(I S N S N)}) ? {g m}_{(ISET)} ? R}_{(ISET)}

因此，用于選擇電流限制閾值電壓的電阻值通過以下公式進行計算：

方程式 16.

R_{(I S E T)} = \frac{V_{(I S E T)}}{(V_{(I S N S P)} {- V_{(I S N S N)}) ? g m}_{(ISET)}}

為實現高頻噪聲抑制，必須將基于以下公式的電容器與 R_(ISET) 并聯放置

方程式 17.

C_{(I S E T)} = \frac{1}{π ? f_{(S W)} ? R_{(I S E T)}}

如果電流限制閾值由內部 DAC 編程設定。通過在 ILIMCOMP 引腳上的電阻-電容網絡，可針對不同負載優化電流限制控制環路的帶寬。對于電阻負載，可根據以下公式選擇簡單的積分器補償：

方程式 18.

C_{O 2} = \frac{5}{2 ? π ? f_{b w} ? R_{(L O A D)}}

其中 C_O2 是平均電流檢測電阻 R_(SNS) 之后的電容

f_bw 是電壓環路補償的帶寬（請參閱電壓調節環路）

方程式 19.

C_{O 1} = C_{O} - C_{O 2}

其中 C_O 是由電壓環路計算和應用電壓紋波要求決定的總輸出電容。

其中 C_O1 是平均電流檢測電阻器 R_(SNS) 之前的電容

方程式 20.

f_{p} = \frac{1}{2 ? π ? R_{(S N S)} ? C_{O 2}}

方程式 21.

f_{b w i l i m} = {f_{p} ? 10}^{- 0.25}

方程式 22.

C_{(I L I M C O M P)} = \frac{{g m}_{(I L I M C O M P)}}{2 π ? f_{b w i l i m}}

圖 7-22 具有阻性負載的電流限制元件簡化版原理圖

對于電子負載（CC 模式或 CR 模式），在大多數情況下需要 II 型補償網絡。以適應所用電子負載的內部調節環路及其帶寬。有關更詳細的優化信息，請參閱快速入門計算器工具。

如果通過電阻器而不是內部 DAC 來選擇電流限制閾值，則在 V_(ISET) 增加至閾值電壓（典型值為 1V）后，調節將優先于電壓環路。ISET 的閾值電壓可以使用以下公式進行計算：

方程式 23.

{V_{(ISET)} = (V_{(I S N S P)} - V_{(I S N S N)}) ? {g m}_{(ISET)} ? R}_{(ISET)}

因此，用于選擇電流限制閾值電壓的電阻值通過以下公式進行計算：

方程式 24.

R_{(I S E T)} = \frac{V_{(I S E T)}}{(V_{(I S N S P)} {- V_{(I S N S N)}) ? g m}_{(ISET)}}

為實現高頻噪聲抑制，必須將基于以下公式的電容器與 R_(ISET) 并聯放置

方程式 25.

C_{(I S E T)} = \frac{1}{π ? f_{(S W)} ? R_{(I S E T)}}

“ILIM_THRESHOLD”控制寄存器的讀取寄存器值被鉗制在寄存器范圍的下限和上限。