ZHCSYD2A June 2025 – October 2025 LM51772-Q1
PRODUCTION DATA
輸出側 MOSFET QH2 (Q4) 和 QL2 (Q3) 會看到 48V 的輸出電壓以及開關期間 SW2 上出現的額外瞬態尖峰。因此,QH2 和 QL2 的額定電壓必須達到 58V 或更高。MOSFET 的柵極平坦電壓需要小于轉換器的最小輸入電壓,否則,MOSFET 在啟動或過載狀況下不會始終完全增強。
降壓運行模式下 QH2 中的功率損耗根據以下公式進行近似計算:
升壓運行模式下 QL2 中的功率損耗分別由以下兩個公式給出的導通損耗和開關損耗分量組成:
和
上升 (tr) 和下降 (tf) 時間可根據 MOSFET 數據表獲取,或通過實驗室實測獲得。通常,RDSON 較小(導通損耗較小)的 MOSFET 具有較長的上升和下降時間(開關損耗較大)。
升壓運行模式下 QH2 中的功率損耗如下所示: