ZHCSYU2 August 2025 LM5168E
PRODUCTION DATA
與任何功率轉(zhuǎn)換器件一樣,LM5168E 在運(yùn)行時(shí)會(huì)消耗內(nèi)部功率。這種功耗的影響是將轉(zhuǎn)換器的內(nèi)部溫度升高到環(huán)境溫度以上。內(nèi)部芯片溫度 (TJ) 是以下各項(xiàng)的函數(shù):
LM5168E 的最高內(nèi)核溫度必須限制為 150°C。這會(huì)限制器件的最大功率耗散,從而限制負(fù)載電流。方程式 27 展示了重要參數(shù)之間的關(guān)系??梢钥闯觯^大的環(huán)境溫度 (TA) 和較大的 RθJA 值會(huì)降低最大可用輸出電流??梢允褂帽緮?shù)據(jù)表中提供的曲線來(lái)估算轉(zhuǎn)換器效率。請(qǐng)注意,這些曲線包括電感器中的功率損耗。如果在其中某條曲線中找不到所需的運(yùn)行條件,則可以使用內(nèi)插來(lái)估算效率。或者,可以調(diào)整 EVM 以匹配所需的應(yīng)用要求,并且可以直接測(cè)量效率。RθJA 的正確值更難估計(jì)。如半導(dǎo)體和 IC 封裝熱指標(biāo) 應(yīng)用手冊(cè)中所述,熱性能信息 表中給出的 RθJA 值對(duì)于設(shè)計(jì)用途無(wú)效,不得用于估算應(yīng)用的熱性能。該表中報(bào)告的值是在實(shí)際應(yīng)用中很少獲得的一組特定條件下測(cè)量的。為 RθJC(bott) 和 ΨJT 提供的數(shù)據(jù)在確定熱性能時(shí)很有用。RθJA(EVM) 值適用于 LM5168PEVM,僅供參考。有關(guān)更多信息和本節(jié)末尾提供的資源,另請(qǐng)參閱半導(dǎo)體和 IC 封裝熱指標(biāo) 應(yīng)用手冊(cè)。
其中
η 是效率。
有效 RθJA 是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),取決于許多因素,例如:
LM5168E 使用裸片附接焊盤(或“外露焊盤”(EP))提供一個(gè)焊接到 PCB 散熱銅的位置。這提供了從穩(wěn)壓器結(jié)到散熱器的良好導(dǎo)熱路徑,并且必須正確焊接到 PCB 散熱銅上。RΘJA 的典型示例請(qǐng)參閱圖 8-25。圖中給出的銅面積對(duì)應(yīng)于每層。頂層和底層為 2oz 覆銅,內(nèi)層為 1oz。
圖 8-26 和圖 8-27 中的數(shù)據(jù)可用作確定一組給定條件下最大輸出電流的指南。繪制這些圖表的特定條件已在以下每個(gè)圖表的注釋中注明。
| VOUT = 5V | L = 68μH | FSW = 500kHz |
| RΘJA = 24°C/W |
| VOUT = 12V | L = 68μH | FSW = 500kHz |
| RΘJA = 24oC/W |
請(qǐng)記住,圖 8-25 至圖 8-27 中給出的數(shù)據(jù)僅用于說(shuō)明目的,任何給定應(yīng)用的實(shí)際性能取決于前面提到的所有因素。
以下資源可用作實(shí)現(xiàn)出色熱 PCB 設(shè)計(jì)和針對(duì)給定應(yīng)用環(huán)境估算 RθJA 的指南: