ZHCSYU2 August 2025 LM5168E
PRODUCTION DATA
8.4.1.1 專為降低 EMI 而設計的緊湊型 PCB 布局
高電流變化率 (di/dt) 元件產生的輻射 EMI 與開關轉換器中的脈沖電流相關。脈沖電流路徑覆蓋的面積越大，產生的電磁輻射就越多。更大限度地減小輻射 EMI 的關鍵是識別脈沖電流路徑并盡可能地減小該路徑覆蓋的面積。圖 8-24 表示降壓轉換器功率級與 EMI 相關的關鍵開關環路。降壓轉換器的拓撲結構意味著在由輸入電容器和 LM5168E 的集成 MOSFET 組成的環路中存在一條電流變化率特別高的電流路徑，因此必須盡可能減小有效環路面積，以此來減少此環路的寄生電感。
圖 8-24 降壓轉換器中的關鍵電流環路輸入電容器為高側 MOSFET 電流的高電流變化率元件提供初級路徑。盡可能靠近 VIN 引腳和 GND 引腳放置陶瓷電容器是降低 EMI 的關鍵所在。連接 SW 和電感器的走線應盡可能短，并且寬度應足以承載負載電流而不會出現過熱現象。為電流傳導路徑使用短而厚的走線或覆銅（形狀），以盡可能減小寄生電阻。將輸出電容器放在靠近電感器 VOUT 側的位置，并將電容器的返回端子連接到 LM5168E 的 GND 引腳和外露焊盤。