ZHCSYU2 August 2025 LM5168E
PRODUCTION DATA
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源 | ||||||
| IQ(VIN) | VIN 靜態電流 | VEN/UVLO = 2.5V，PFM 運行 | 10 | 25 | μA | |
| IQ(STANDBY) | VIN 待機電流 | VEN/UVLO = 1.25V | 17 | 35 | μA | |
| ISD(VIN) | VIN 關斷電源電流 | VEN/UVLO = 0V，TJ = 25°C | 3 | 6 | μA | |
| ENABLE | ||||||
| VEN(R) | EN/UVLO 電壓上升閾值 | EN/UVLO 上升，啟用開關 | 1.45 | 1.5 | 1.55 | V |
| VEN(F) | EN/UVLO 電壓下降閾值 | EN/UVLO 下降，禁用開關 | 1.35 | 1.4 | 1.44 | V |
| VSD(R) | EN/UVLO 待機上升閾值 | EN/UVLO 上升，啟用內部 LDO，不進行開關。 | 1.1 | V | ||
| VSD(F) | EN/UVLO 待機下降閾值 | EN/UVLO 下降，禁用內部 LDO。 | 0.45 | V | ||
| 基準電壓 | ||||||
| VFB | FB 電壓 | VFB 下降 | 1.181 | 1.2 | 1.218 | V |
| 啟動 | ||||||
| tSS | 內部固定軟啟動時間 | 1.75 | 3 | 4.75 | ms | |
| 功率級 | ||||||
| RDSON(HS) | 高側 MOSFET 導通電阻 | ISW = –100mA | 1.91 | Ω | ||
| RDSON(LS) | 低側 MOSFET 導通電阻 | ISW = 100mA | 0.74 | Ω | ||
| tON(min) | 最小 ON 脈沖寬度 | 50 | ns | |||
| tON(1) | On-time1 | VVIN = 6V，RRT = 75kΩ | 5000 | ns | ||
| tON(2) | On-time2 | VVIN = 6V，RRT = 25kΩ | 1650 | ns | ||
| tON(3) | On-time3 | VVIN = 12V，RRT = 75kΩ | 2550 | ns | ||
| tON(4) | On-time4 | VVIN = 12V，RRT = 25kΩ | 830 | ns | ||
| tOFF(min) | 最小 OFF 脈沖寬度 | 50 | ns | |||
| 升壓電路 | ||||||
| VBOOT-SW(UV_R) | BOOT-SW UVLO 上升閾值 | VBST-SW 上升 | 2.6 | 3.4 | V | |
| 過流保護 | ||||||
| IHS_PK(OC) | 高側峰值電流限值 | 0.356 | 0.42 | 0.484 | A | |
| ILS_PK(OC) | 低側峰值電流限值 | 0.356 | 0.42 | 0.484 | A | |
| IDELTA(OC) | IHS_PK(OC) 或 ILS_PK(OC) 的最小值減去 ILS_V(OC) | 0.084 | A | |||
| ILS_V(OC) | 低側谷值電流限值 | LS FET 上的低側谷值電流限制 | 0.27 | 0.336 | 0.42 | A |
| IZC | 過零檢測電流閾值 | 0 | A | |||
| TW | 重啟之前的斷續時間 | 64 | ms | |||
| 電源正常 | ||||||
| VPGTH | 電源正常閾值 | FB 下降，PG 從高到低 | 1.055 | 1.08 | 1.1 | V |
| FB 上升，PG 從低到高 | 1.105 | 1.14 | 1.175 | V | ||
| RPG | 電源正常導通狀態電阻 | VFB = 1V | 7 | Ω | ||
| 熱關斷 | ||||||
| TJ-SHD | 熱關斷閾值 (1) | 溫度上升 | 175 | °C | ||
| TJ-SHD-HYS | 熱關斷遲滯 (1) | 10 | °C | |||