ZHCSYY8 September 2025 LM5125A-Q1
PRODUCTION DATA
高側 MOSFET 器件的損耗分為導通損耗、死區時間損耗和反向恢復損耗。開關損耗只計算低側 MOSFET 器件的損耗。高側 MOSFET 器件的體二極管在高側 MOSFET 器件開關前后導通，因此高側 MOSFET 器件的開關損耗可以忽略不計。
高側導通損耗大致計算如下：
死區時間損耗大致計算如下：
其中
高側 MOSFET 開關的反向恢復特性對效率影響極大，特別是在輸出電壓較高時。較小的反向恢復電荷有助于提升效率，同時也使開關噪聲最小化。
反向恢復損耗的近似計算方式如下：
其中
建議在 MOSFET 柵極和源極之間放置一個 100kΩ 柵極電阻器。電阻由旁路模式下的電荷泵源電流 (ICP) 確定。如果選擇的電阻太低，則柵極電壓過低，無法完全導通高側 MOSFET。
高側開關可以并聯一個附加的肖特基二極管，以提升效率。通常，此并聯肖特基二極管的額定功率小于高側開關的功率，因為該二極管只在死區時間內導通。并聯二極管的額定功率必須足夠高，以便處理啟動時的浪涌電流、開關之前存在的任何負載、斷續模式運行等。