ZHCSYY8 September 2025 LM5125A-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說(shuō)明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說(shuō)明
- 6.3.1 器件配置（CFG0 引腳、 CFG1 引腳、CFG2 引腳）
- 6.3.2 器件和相位啟用/禁用（UVLO/EN、EN2）
- 6.3.3 雙器件運(yùn)行
- 6.3.4 開(kāi)關(guān)頻率和同步 (SYNCIN)
- 6.3.5 雙隨機(jī)展頻 (DRSS)
- 6.3.6 運(yùn)行模式（BYPASS、DEM、FPWM）
- 6.3.7 VCC 穩(wěn)壓器，BIAS（BIAS 引腳、VCC 引腳）
- 6.3.8 軟啟動(dòng)（SS 引腳）
- 6.3.9 VOUT 編程（VOUT、ATRK、DTRK）
- 6.3.10 保護(hù)功能
- 6.3.11 電源正常狀態(tài)指示器（PGOOD 引腳）
- 6.3.12 斜率補(bǔ)償（CSP1、CSP2、CSN1、CSN2）
- 6.3.13 電流檢測(cè)設(shè)置和開(kāi)關(guān)峰值電流限制（CSP1、CSP2、CSN1、CSN2）
- 6.3.14 輸入電流限制和監(jiān)測(cè)（ILIM、IMON、DLY）
- 6.3.15 最大占空比和最小可控導(dǎo)通時(shí)間限制
- 6.3.16 信號(hào)抗尖峰脈沖概述
- 6.3.17 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器、集成式自舉二極管和斷續(xù)模式故障保護(hù)（LOx、HOx、HBx 引腳）
- 6.4 器件功能模式
-
7 應(yīng)用和實(shí)施
- 7.1 應(yīng)用信息
- 7.2
典型應(yīng)用
- 7.2.1 設(shè)計(jì)要求
- 7.2.2
詳細(xì)設(shè)計(jì)過(guò)程
- 7.2.2.1 確定相位總數(shù)
- 7.2.2.2 確定占空比
- 7.2.2.3 定時(shí)電阻器 RT
- 7.2.2.4 電感器選型 Lm
- 7.2.2.5 電流檢測(cè)電阻器 (RCS)
- 7.2.2.6 電流檢測(cè)濾波器 RCSFP、RCSFN、CCS
- 7.2.2.7 低側(cè)電源開(kāi)關(guān) QL
- 7.2.2.8 高側(cè)電源開(kāi)關(guān) QH
- 7.2.2.9 緩沖組件
- 7.2.2.10 Vout 編程
- 7.2.2.11 輸入電流限制 (ILIM/IMON)
- 7.2.2.12 UVLO 分壓器
- 7.2.2.13 軟啟動(dòng)
- 7.2.2.14 CFG 設(shè)置
- 7.2.2.15 輸出電容器 Cout
- 7.2.2.16 輸入電容器 Cin
- 7.2.2.17 自舉電容器
- 7.2.2.18 VCC 電容器 CVCC
- 7.2.2.19 BIAS 電容器
- 7.2.2.20 VOUT 電容器
- 7.2.2.21 環(huán)路補(bǔ)償
- 7.2.3 應(yīng)用曲線
- 7.3 電源相關(guān)建議
- 7.4 布局
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHB|32
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHB|32
訂購(gòu)信息
6.3.17 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器、集成式自舉二極管和斷續(xù)模式故障保護(hù)（LOx、HOx、HBx 引腳）
該器件集成 N 溝道邏輯 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。LOx 驅(qū)動(dòng)器由 VCC 供電，而 HOx 驅(qū)動(dòng)器由 HBx 供電。當(dāng)通過(guò)導(dǎo)通低側(cè) MOSFET 而使 SWx 引腳電壓約為 0V 時(shí)，電容器 CHBx 由 VCC 通過(guò)內(nèi)部自舉二極管充電。CHBx 的建議值為 0.1μF。在關(guān)斷期間，柵極驅(qū)動(dòng)器輸出為高阻抗。
LOx 和 HOx 輸出采用自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間方法進(jìn)行控制，這可確保兩個(gè)輸出不會(huì)同時(shí)啟用，從而防止擊穿。當(dāng)器件開(kāi)啟 LOx 時(shí)，自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間邏輯會(huì)關(guān)閉 HOx 并等待 HOx ? SWx 電壓降至典型值 1.5V 以下，然后在短暫的可編程死區(qū)時(shí)間延遲 tDHL 后開(kāi)啟 LOx。同樣，HOx 驅(qū)動(dòng)器開(kāi)啟會(huì)出現(xiàn)延遲，直到 LOx ? PGND 電壓放電至典型值 1.5V 以下。然后，在經(jīng)過(guò)同樣的可編程死區(qū)時(shí)間延遲 tDLH 后，HOx 會(huì)開(kāi)啟。
如果在啟動(dòng)期間驅(qū)動(dòng)器輸出電壓低于 MOSFET 柵極平坦電壓，則轉(zhuǎn)換器可能無(wú)法正常啟動(dòng)，并且可能會(huì)在高功耗狀態(tài)下保持在最大占空比。通過(guò)選擇閾值較低的 MOSFET 或在 BIAS 引腳電壓足夠時(shí)導(dǎo)通器件，可以避免這種情況。在旁路操作期間，最小 HOx-SWx 電壓為 3.75V。
斷續(xù)模式故障保護(hù)由 VHB-UVLO 觸發(fā)。如果 HBx ? SWx 電壓低于 HBx UVLO 閾值 (VHB-UVLO)，則 LOx 將強(qiáng)制開(kāi)啟 75ns 來(lái)為自舉電容器充電。該器件允許多達(dá)四個(gè)連續(xù)的充電開(kāi)關(guān)周期。在最多四個(gè)連續(xù)的自舉充電開(kāi)關(guān)周期后，該器件將在 12 個(gè)周期跳過(guò)該開(kāi)關(guān)操作。如果該器件在四組（每組四個(gè)）連續(xù)的充電開(kāi)關(guān)周期后未能為自舉電容器充滿電，該器件將停止開(kāi)關(guān)操作，并進(jìn)入 512 個(gè)周期的斷續(xù)模式關(guān)斷時(shí)間。在斷續(xù)模式關(guān)斷時(shí)間 PGOOD = 低電平且 SS 引腳接地。
如果需要，可通過(guò)添加與下拉 PNP 晶體管并聯(lián)的柵極電阻器來(lái)調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓的壓擺率。該電阻器會(huì)降低有效死區(qū)時(shí)間。
圖 6-26 壓擺率控制