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ZHCSYY8 September 2025 LM5125A-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

RHB|32
- MPQF130D

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

RHB|32
- QFND643

訂購信息

6.3.6 運行模式（BYPASS、DEM、FPWM）

該器件支持旁路模式、強制 PWM (FPWM) 和二極管仿真模式 (DEM) 運行。該模式可以動態更改，并由 MODE 引腳設置。當 V_OUT < V_I 時，旁路模式會自動激活。器件運行模式在 V_MODE < 0.4V 時設置為 DEM，在 V_MODE > 1.2V 時設置為 FPWM。在雙器件堆疊運行中，讓兩個器件使用相同的模式。

表 6-6 模式引腳設置

運行模式	MODE 引腳
DEM	V_MODE < 0.4V
FPWM	V_MODE > 1.2V

在二極管仿真模式 (DEM) 下，可阻止電流從 V_OUT 流向 V_I。在高側導通時間內監測每相的 SW 引腳電壓，當電壓降至零電流檢測閾值 V_ZCD 以下時，高側開關會關斷。對于輕負載，該器件在不連續導通模式 (DCM) 下工作，最終會跳過脈沖，從而提高輕負載效率。當兩個相位都處于運行狀態（EN2 = 高電平）時，兩個相位都會在輕負載條件下以 DCM 運行，并且最后會跳過脈沖。在堆疊式器件配置中，所有相位都會根據自身的零比較器信號獨立運行。在 DEM 運行模式下，當 COMP 低于 460mV 時，控制器會開始跳過脈沖。使用方程式 5 計算輸入電流的跳過入口點，使用方程式 6 計算輸出電流的跳過入口點。

方程式 5.

I_{I_s k i p} = \frac{1.5 μ \times \frac{V_{I}}{L}}{0.48 \times \frac{f_{S W}}{40 K} + 250 μ \times R_{S N S} \times \frac{V_{I}}{L}}

方程式 6.

I_{O U T_s k i p} = \frac{\frac{V_{I}}{V_{O U T}} \times \frac{V_{I}}{L} \times 1.5 μ}{0.48 \times \frac{f_{S W}}{40 K} + 250 μ \times R_{S N S} \times \frac{V_{I}}{L}}

在采用調制模式 (FPWM) 的強制脈沖模式下，即使在輕載情況下，轉換器也會在連續導通模式 (CCM) 下以固定頻率持續進行開關操作。此模式改善了輕負載瞬態響應。

在旁路 (BYPASS) 模式下，V_I 通過導通高側 FET 連接至 V_OUT（無調節）。無法控制從 V_I 流向 V_OUT 的正電流，同時對于 DEM 設置，會阻止電流從 V_OUT 流向 V_I，對于 FPWM 設置，則將電流限制在 V_NCLTH。集成電荷泵在 HOx ? SWx 處提供最小 3.75V 的電壓，并且每相可驅動 55uA (I_CP)。當 EN2 =低電平時，僅相 1 的高側 FET 會導通；當 EN2 = 高電平時，相 1 和相 2 的高側 FET 都會導通。在堆疊器件運行中，系統會開啟所有有效相位。如果使用了 MOSFET 柵極下拉電阻器，需要確保電荷泵能夠驅動 MOSFET 和下拉電阻器的泄露電流。如果電荷泵過載，器件開始進行開關操作，以維持 V_HB-UVLO 柵極電壓的最小值。

當滿足表進入、退出旁路模式中的條件時，器件會進入和退出旁路模式。在雙器件運行中，主器件設置運行模式，副器件則依照表 6-5 進行。

表 6-7 進入、退出旁路模式

運行模式	旁路	條件
DEM/FPWM	入門級	V_OUT < V_I ? 100mV 且 V_COMP < V_COMP-MIN + 100mV
DEM	退出	V_COMP > V_COMP-MIN + 100mV 或 ((V_CSP1 ? V_CSN1) < V_{ZCD_BYP} \|\| (V_CSP2 ? V_CSN2) < V_{ZCD_BYP})
FPWM	退出	V_COMP > V_COMP-MIN + 100mV 或 ((V_CSP1 ? V_CSN1) < V_NCLTH \|\| (V_CSP2 ? V_CSN2) < V_NCLTH)

圖 6-12 進入、退出旁路模式