ZHCSYJ1 June 2025 LM25137-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 相關產品
- 5 引腳配置和功能
- 6 規格
-
7 詳細說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說明
- 7.3.1 輸入電壓范圍 (VIN)
- 7.3.2 輔助電源穩壓器（VCC、BIAS1/VOUT1、VDDA）
- 7.3.3 精密啟用端（EN1、EN2）
- 7.3.4 開關頻率 (RT)
- 7.3.5 脈沖頻率調制和同步 (PFM/SYNC)
- 7.3.6 同步輸出 (SYNCOUT)
- 7.3.7 雙隨機展頻 (DRSS)
- 7.3.8 可配置軟啟動 (RSS)
- 7.3.9 輸出電壓設定點（FB1、FB2）
- 7.3.10 超短可控導通時間
- 7.3.11 誤差放大器和 PWM 比較器（FB1、FB2、COMP1、COMP2）
- 7.3.12 電感器電流檢測（ISNS1+、BIAS1/VOUT1、ISNS2+、VOUT2）
- 7.3.13 MOSFET 柵極驅動器（HO1、HO2、LO1、LO2）
- 7.3.14 輸出配置 (CNFG)
- 7.4 器件功能模式
- 8 應用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
7.3.13 MOSFET 柵極驅動器（HO1、HO2、LO1、LO2）
LM25137-Q1 包含 MOSFET 柵極驅動器和關聯的高側電平轉換器來驅動外部 N 溝道功率 MOSFET。高側柵極驅動器與集成式自舉二極管和外部自舉電容器 CBOOT 搭配使用。在低側 MOSFET 的導通間隔期間，SW 電壓約為 0V，而 CBOOT 通過二極管從 VCC 充電。
LM25137-Q1 使用自適應死區時間方法來控制 HO 和 LO 輸出，因此兩個輸出（HO 和 LO）絕不會同時啟用，從而防止出現跨導。當啟用控制器命令 LO 時，自適應死區時間邏輯會先禁用 HO 并等待 HO 至 GND 電壓降至 2V（典型值）以下。然后，LO 會在短暫延遲（HO 下降至 LO 上升延遲）后啟用。同樣，HO 導通會延遲，直到 LO 電壓降至 2V 以下。然后，HO 會在短暫延遲（LO 下降至 HO 上升延遲）后啟用。這項技術可確保任何尺寸的 N 溝道 MOSFET 元件或并聯 MOSFET 配置具有足夠的死區時間。
當 VIN 接近 VOUT 設定點時，LM25137-Q1 會激活集成電荷泵，使高側 MOSFET 保持導通狀態，從而實現真正的 100% 占空比。此操作可以實現輸入到輸出之間盡可能低的壓降電壓。添加串聯柵極電阻器時要格外小心，因為此類電阻器可能導致有效死區時間縮短。所選的高側功率 MOSFET 確定了相應自舉電容值 CBOOT，如方程式 10 所示。
其中
- QG 是高側 MOSFET 在適用柵極驅動電壓（通常為 5V）下的總柵極電荷
- ΔVCBOOT 是高側 MOSFET 驅動器在導通后的電壓變化
若要確定 CBOOT，請選擇合適的 ΔVCBOOT，使可用的柵極驅動電壓不會受到顯著影響。ΔVCBOOT 的可接受范圍為 100mV 至 200mV。自舉電容器必須為低 ESR 陶瓷電容器，典型值為 0.1μF。當標稱 VCC 電壓為 5V 時，請使用具有 RDS(on) 且額定電壓為 VGS = 4.5V 的邏輯電平功率 MOSFET。