ZHCSYJ1 June 2025 LM25137-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 相關(guān)產(chǎn)品
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說(shuō)明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說(shuō)明
- 7.3.1 輸入電壓范圍 (VIN)
- 7.3.2 輔助電源穩(wěn)壓器（VCC、BIAS1/VOUT1、VDDA）
- 7.3.3 精密啟用端（EN1、EN2）
- 7.3.4 開(kāi)關(guān)頻率 (RT)
- 7.3.5 脈沖頻率調(diào)制和同步 (PFM/SYNC)
- 7.3.6 同步輸出 (SYNCOUT)
- 7.3.7 雙隨機(jī)展頻 (DRSS)
- 7.3.8 可配置軟啟動(dòng) (RSS)
- 7.3.9 輸出電壓設(shè)定點(diǎn)（FB1、FB2）
- 7.3.10 超短可控導(dǎo)通時(shí)間
- 7.3.11 誤差放大器和 PWM 比較器（FB1、FB2、COMP1、COMP2）
- 7.3.12 電感器電流檢測(cè)（ISNS1+、BIAS1/VOUT1、ISNS2+、VOUT2）
- 7.3.13 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器（HO1、HO2、LO1、LO2）
- 7.3.14 輸出配置 (CNFG)
- 7.4 器件功能模式
-
8 應(yīng)用和實(shí)施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2 典型應(yīng)用
- 8.3 電源相關(guān)建議
- 8.4 布局
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHA|36
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHA|36
訂購(gòu)信息
8.4.2 布局示例
根據(jù) LM25137F-Q1-EVM5D3 設(shè)計(jì)，圖 8-26 展示了雙路輸出同步降壓穩(wěn)壓器的單面布局。該設(shè)計(jì)采用 PCB 的第 2 層作為頂層正下方的電源環(huán)路接地返回路徑，以構(gòu)成約 2mm2 的小面積開(kāi)關(guān)電源環(huán)路。該環(huán)路面積以及寄生電感必須盡可能小，以盡量減少開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓過(guò)沖和振鈴（從而盡量改善整體 EMI 特性）。有關(guān)更多詳細(xì)信息，另請(qǐng)參閱 LM25137F-Q1-EVM5D3 評(píng)估模塊 EVM 用戶指南。
圖 8-26 PCB 頂層如圖 8-27 中所示，高頻電源環(huán)路電流從 MOSFET Q3 和 Q4，再經(jīng)過(guò)第 2 層上的電源接地平面，然后通過(guò) 0603 陶瓷電容器 C30 至 C33 流回至 VIN。垂直環(huán)路配置中沿相反流動(dòng)的電流提供了場(chǎng)自相抵消效果，從而減少了寄生環(huán)路電感。圖 8-28 中的側(cè)視圖展示了在多層 PCB 結(jié)構(gòu)中構(gòu)成自相抵消的薄型環(huán)路這一概念。圖 8-27 中所示的第 2 層（GND 平面層）在 MOSFET 正下方提供了一個(gè)連接到 Q4 源極端子的緊密耦合電流返回路徑。
靠近每個(gè)高側(cè) MOSFET 的漏極并聯(lián)四個(gè)具有 0603 小型外殼尺寸的 10nF 輸入電容器。小尺寸電容器的低 ESL 和高自諧振頻率 (SRF) 可以帶來(lái)出色的高頻性能。這些電容器的負(fù)端子通過(guò)多個(gè)直徑為 12mil (0.3mm) 的過(guò)孔連接到第 2 層（GND 平面），從而進(jìn)一步減少寄生電感。
本布局示例中使用的額外步驟包括：
- 使從功率 MOSFET 到電感器（對(duì)于每個(gè)通道）的 SW 連接具有盡可能小的銅面積，從而減少電容耦合和輻射 EMI。
- 將 IC 靠近 MOSFET 的柵極端子放置，并使柵極驅(qū)動(dòng)器跡線布放得短且直接。
- 對(duì)于敏感模擬元件，在 IC 附近形成一個(gè)模擬接地平面。在 IC 的裸片連接焊盤(pán) (DAP) 上的單點(diǎn)連接 AGND 平面和 PGND 電源接地平面。
圖 8-27 功率級(jí)元件布局