將控制器盡可能地靠近功率 MOSFET 放置以盡可能地縮短?hào)艠O驅(qū)動(dòng)器布線長(zhǎng)度，如此一來，與模擬和反饋信號(hào)以及電流檢測(cè)相關(guān)的分量便可以通過如下方式加以考慮：
- 分離電源和信號(hào)跡線，并使用接地平面來提供噪聲屏蔽。
- 將與 COMP1/2、FB1/2、ISNS1/2+、RSS 和 RT 相關(guān)的所有敏感模擬跡線和元件遠(yuǎn)離高壓開關(guān)節(jié)點(diǎn)（例如 SW1/2、HO1/2、LO1/2 或 CBOOT1/2）放置，以避免相互耦合。使用多個(gè)內(nèi)部層作為接地平面。特別注意將反饋 (FB) 跡線與電源跡線和元件隔離開來。
- 將上反饋電阻器和下反饋電阻器（需要時(shí)）靠近相應(yīng)的 FB 引腳放置，從而使 FB 跡線盡可能短。將跡線從上反饋電阻器布放到負(fù)載處所需的輸出電壓檢測(cè)點(diǎn)上。
- 以差分對(duì)形式布放 [ISNS1+, BIAS1/VOUT1] 和 [ISNS2+, VOUT1/2] 跡線，從而更大限度地減少噪聲拾取，并使用開爾文連接方式連接到適用的分流電阻器（如果進(jìn)行的是分流電流檢測(cè)）或連接到檢測(cè)電容器（如果進(jìn)行的是電感器 DCR 電流檢測(cè)）。具體來說，使用寬跡線連接到 BIAS1/VOUT1，最好是 80mil (2mm)，以盡可能地減小與流入影響電流檢測(cè)的該引腳的偏置電流相關(guān)的壓降。
- 盡可能地縮小從 VCC 和 VIN 引腳通過相應(yīng)去耦電容器到 PGND 引腳的環(huán)路面積。將這些電容器盡可能靠近 LM25137-Q1 放置。