ZHCSLY0B August 2022 – October 2023 DRV8962
PRODUCTION DATA
結(jié)溫估算值為：TJ = TA + (PTOT × θJA)
在符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的 PCB 上，采用 DDW 封裝時(shí)的結(jié)至環(huán)境熱阻 θJA 為 22.2°C/W，如果使用合適的散熱器，采用 DDV 封裝時(shí)的結(jié)至環(huán)境熱阻則接近 5°C/W。
因此，結(jié)溫的第一個(gè)估算值為：
TJ = TA + (PTOT × θJA) = 25 + (2.552 × 22.2) = 81.7 °C
如需更準(zhǔn)確地計(jì)算該值，請(qǐng)考慮典型工作特性部分所示的器件結(jié)溫對(duì) FET 導(dǎo)通電阻的影響。
例如，
在 81.7 °C 結(jié)溫下，與 25°C 時(shí)的導(dǎo)通電阻相比，導(dǎo)通電阻可能會(huì)增加 1.3 倍。
每個(gè)半橋的導(dǎo)通損耗（RDS(ON) 引起的損耗）的初始估算值為 0.477W。
因此，導(dǎo)通損耗的新估算值為 0.477W × 1.3 = 0.62W。
因此，總功率損耗的新估算值為 3.124W。
采用 DDW 封裝時(shí)的結(jié)溫新估算值為 94.4 °C。
如進(jìn)行進(jìn)一步的迭代，則不太可能顯著增加結(jié)溫估算值。