ZHCSLY0B August 2022 – October 2023 DRV8962
PRODUCTION DATA
應使用推薦電容為 0.01μF 且額定電壓為 VM 的低 ESR 陶瓷旁路電容器將 VM 引腳旁路至 PGND 引腳。此類電容器應盡可能靠近 VM 引腳放置，并通過較寬的布線或接地平面與器件 PGND 引腳連接。
應使用額定電壓為 VM 的大容量電容器將 VM 引腳旁路至 PGND。該元件可以是電解電容器。
必須在 CPL 和 CPH 引腳之間放置一個低 ESR 陶瓷電容器。建議使用一個電容值為 0.1μF、額定電壓為 VM 的電容器。將此組件盡可能靠近引腳放置。
必須在 VM 和 VCP 引腳之間放置一個低 ESR 陶瓷電容器。建議使用一個電容值為 1μF、額定電壓為 16V 的電容器。將此組件盡可能靠近引腳放置。
使用低 ESR 陶瓷電容器將 DVDD 引腳旁路至接地。建議使用一個電容值為 1μF、額定電壓為 6.3V 的電容器。將此旁路電容器盡可能靠近引腳放置。
使用低 ESR 陶瓷電容器將 VCC 引腳旁路至接地。建議使用一個電容值為 0.1μF、額定電壓為 6.3V 的電容器。將此旁路電容器盡可能靠近引腳放置。
通常，必須避免電源引腳和去耦電容器之間的電感。
DDW 封裝的散熱焊盤必須連接至系統地。
建議整個系統/電路板使用一個大的不間斷單一接地平面。接地平面可在 PCB 底層制成。
為了盡可能地減小阻抗和電感，在通過通孔連接至底層接地平面之前，接地引腳的布線應盡可能短且寬。
建議使用多個通孔來降低阻抗。
盡量清理器件周圍的空間（尤其是在 PCB 底層），從而改善散熱。
連接至散熱焊盤的單個或多個內部接地平面也有助于散熱并降低熱阻。