ZHCSLY0B August 2022 – October 2023 DRV8962
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說明
- 8 應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 9 封裝散熱注意事項(xiàng)
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DDW|44
訂購信息
7.5.3 電流調(diào)節(jié)
可通過 VREF 電壓 (VVREF) 與 IPROPI 輸出電阻器 (RIPROPI) 設(shè)置電流斬波閾值 (ITRIP)。可通過將外部 RIPROPI 電阻器和 VVREF 之間的壓降與內(nèi)部比較器進(jìn)行比較來執(zhí)行此操作。
例如，要將 ITRIP 設(shè)為 5A，VVREF 設(shè)為 3.3V，RIPROPI 必須為：
RIPROPI = VVREF/(ITRIP x AIPROPI) = 3.3/(5 x 212 x 10–6) = 3.09k?
可以禁用內(nèi)部電流調(diào)節(jié)，方法是將 IPROPI 綁定到 GND 并將 VREF 引腳電壓設(shè)置為高于 GND 的值（如果不需要電流反饋）。如果需要電流反饋但不需要電流調(diào)節(jié)，則需要設(shè)置 VVREF 和 RIPROPI，使 VIPROPI 永遠(yuǎn)不會達(dá)到 VVREF 閾值。
DRV8962 可同時驅(qū)動多達(dá)四個電阻或電感負(fù)載。在將輸出負(fù)載接地后，可將負(fù)載電流調(diào)節(jié)至 ITRIP 電平。PWM 關(guān)斷時間 (tOFF) 固定為 17μs。固定關(guān)斷時間模式允許在外部控制器不介入的情況下使用簡單的電流斬波方案。固定關(guān)斷時間模式將支持 100% 占空比的電流調(diào)節(jié)。
控制負(fù)載電流的另外一種方式是逐周期控制模式，在該模式下，必須控制 INx 輸入引腳的 PWM 脈沖寬度。這樣即可通過外部控制器來額外控制電流斬波方案。
下面介紹了驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)負(fù)載的幾種情況：
電阻負(fù)載接地：
只要在消隱時間內(nèi)有負(fù)載電感來減慢電流增加的速度，穩(wěn)定電流就不會超過 ITRIP。如果 ITRIP 高于 (VM/RLOAD)，則在 INx = 1 時，會將負(fù)載電流調(diào)節(jié)至 VM/RLOAD 電平（如圖 7-3 所示）。
圖 7-3 電阻負(fù)載接地，逐周期控制電感負(fù)載接地：
應(yīng)確保在每個周期對電流進(jìn)行足夠衰減，以防失控和觸發(fā)過流保護(hù)。
對于圖 7-4 所示的情況，當(dāng) INx = 1時，低側(cè) MOSFET 在 IOUT 超過 ITRIP 后，在 tOFF 時間內(nèi)保持導(dǎo)通狀態(tài)。tOFF 后，將再次導(dǎo)通高側(cè) MOSFET，直至 IOUT 再次超過 ITRIP。
圖 7-4 電感負(fù)載接地，固定關(guān)斷時間電流斬波也可以使用逐周期方法來控制負(fù)載。當(dāng) INx = 1 時，流經(jīng)該負(fù)載的電流將增加；當(dāng) INx = 0 時，流經(jīng)該負(fù)載的電流將衰減。通過適當(dāng)選擇 INx 脈沖的占空比，可以將電流調(diào)節(jié)到目標(biāo)值。圖 7-5 和圖 7-6 顯示了上述情況。
圖 7-5 電感負(fù)載接地，逐周期控制在第二種情況中，需要對 INx 引腳的占空比進(jìn)行調(diào)節(jié)（T 必須小于 TOFF），從而確保電流不會失控。
圖 7-6 電感負(fù)載接地，逐周期控制負(fù)載連接至 VM：
可以通過控制 INx 引腳脈沖寬度來控制此類負(fù)載：INx = 0 時，電流會增加；INx = 1 時，電流會衰減，如圖 7-7 和圖 7-8 所示。
圖 7-7 電感負(fù)載連接至 VM，逐周期控制在這種情況下，需要對 INx 引腳的占空比進(jìn)行調(diào)節(jié)，以確保電流不會失控。
圖 7-8 電阻負(fù)載接地，逐周期控制