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ZHCSO97A May 2023 – December 2023 DRV8845

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

RHH|36
- MPQF144E

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

訂購信息

zhcso97a_oa

6.5 電氣特性

典型值都是在 T_A = 25°C 且 V_VM = 24V 條件下的值。除非另有說明，否則所有限值都是在推薦工作條件下的限值。

參數		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
電源 (VM)
I_VM	VM 工作電源電流	nSLEEP = 1，I_OUT = 0mA，輸出開啟，PWM = 50kHz，直流 = 50%		9	14	mA
		nSLEEP = 1，輸出關閉		3.5	4.5	mA
		nSLEEP = 0		1.3	3	μA
t_SLEEP	睡眠時間	nSLEEP = 0 以進入睡眠模式	120			μs
t_RESET	nSLEEP 復位脈沖	nSLEEP 低電平至清除故障	20		40	μs
t_WAKE	喚醒時間	nSLEEP = 1 至輸出轉換		0.62	0.8	ms
t_ON	導通時間	VM > UVLO 至輸出轉換		0.62	0.8	ms
電荷泵（VCP、CP1、CP2）
V_VCP	VCP 工作電壓	V_VM > 6 V		V_VM + 5		V
f_(VCP)	電荷泵開關頻率	V_VM > UVLO，nSLEEP = 1		380		kHz
邏輯電平輸入
V_IL	輸入邏輯低電平電壓		0		0.8	V
V_IH	輸入邏輯高電平電壓		2		5.5	V
V_HYS	輸入邏輯遲滯		140	270	400	mV
I_INL	邏輯輸入低電流	V_IN = 0V	-1		1	μA
I_INH	邏輯輸入高電流	V_IN = 5V			30	μA
t_PD	傳播延遲	PWM 更改為拉電流開啟	300	600	900	ns
		PWM 更改為拉電流關閉	150		700	ns
		PWM 更改為灌電流開啟	300	600	900	ns
		PWM 更改為灌電流關閉	150		700	ns
電機驅動器輸出
R_DS(ONH)	高側 FET 導通電阻	T_J = 25°C，I_O = -1。2A		450	550	m?
		T_J = 125°C、I_O = -1.2 A		700	850	m?
		T_J = 150°C、I_O = -1.2 A		780	950	m?
R_DS(ONL)	低側 FET 導通電阻	T_J = 25°C、I_O = 1.2 A		450	550	m?
		T_J = 125°C、I_O = 1.2 A		700	850	m?
		T_J = 150°C、I_O = 1.2 A		780	950	m?
V_f	體二極管正向電壓	I_O = ± 1.2A			1.2	V
I_DSS	輸出泄漏	輸出，V_OUT = 0 至 VM	-2		7	μA
t_SR	輸出上升/下降時間	VM = 24V，I_O = 1.2 A，介于 10% 和 90% 之間		100		ns
t_D	死區時間		90	425	600	ns
t_BLANK	電流檢測消隱時間 ^(⁽¹⁾)			1		μs
PWM 電流控制 (VREFx)
I_VREFx	VREFx 引腳基準輸入電流	VREF = 1.5 V	-1		1	μA
t_OFF	PWM 關斷時間			16		μs
ΔI_TRIP	電流跳變精度	V_VREFx = 1.5V，相電流 = 100%	-2		2	%
		V_VREFx = 1.5V，相電流 = 67%	-3		3
		V_VREFx = 1.5V，相電流 = 33%	-7		7
保護電路
VM_UVLO	VM UVLO 閾值	VM 下降	4.1	4.25	4.35	V
VM_UVLO	VM UVLO 閾值	VM 上升	4.2	4.34	4.45	V
VM_UVLO,HYS	VM UVLO 磁滯	上升至下降閾值		90		mV
V_CPUV	電荷泵欠壓	VCP 下降		V_VM + 2		V
I_OCP	過流保護	流經任何 FET 的電流	2.5			A
t_OCP	過流抗尖峰時間			2.1		μs
T_OTSD	熱關斷	內核溫度 T_J	155	165	175	°C
T_{HYS_OTSD}	熱關斷遲滯	內核溫度 T_J		20		°C

(1)

受設計保證。