ZHCSXG7 August 2024 DRV8434A-Q1
PRODUCTION DATA
對(duì)于在全橋內(nèi)連接的電機(jī)而言，電流路徑為通過一個(gè)半橋的高側(cè) FET 和另一個(gè)半橋的低側(cè) FET。導(dǎo)通損耗 (PCOND) 取決于電機(jī)的均方根電流 (IRMS) 以及高側(cè) (RDS(ONH)) 和低側(cè) (RDS(ONL)) 的導(dǎo)通電阻（如方程式 2 所示）。
方程式 3 中計(jì)算了典型應(yīng)用中顯示的典型應(yīng)用導(dǎo)通損耗。
這種計(jì)算方式高度依賴于器件的溫度，因?yàn)闇囟葧?huì)顯著影響高側(cè)和低側(cè)的 FET 導(dǎo)通電阻。如需更準(zhǔn)確地計(jì)算該值，請(qǐng)考慮器件溫度對(duì) FET 導(dǎo)通電阻的影響。