ZHCSMN6C May 2020 – July 2022 DRV8424 , DRV8425
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規格
- 7 詳細說明
- 8 應用和實施
- 9 電源相關建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數據 (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)
- RGE|24
訂購信息
5 引腳配置和功能
圖 5-1 PWP PowerPAD? 封裝28 引腳 HTSSOP俯視圖
圖 5-2 RGE 封裝24 引腳 VQFN（帶有外露散熱焊盤）俯視圖表 5-1 引腳功能
| 引腳 | I/O | 類型 | 說明 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 名稱 | NO. | ||||
| HTSSOP | VQFN | ||||
| AOUT1 | 4、5 | 3 | O | 輸出 | 繞組 A 輸出。連接到步進電機繞組。 |
| AOUT2 | 6、7 | 4 | O | 輸出 | 繞組 A 輸出。連接到步進電機繞組。 |
| PGND | 3、12 | 2、7 | — | 電源 | 電源接地。連接到系統接地。 |
| BOUT2 | 8, 9 | 5 | O | 輸出 | 繞組 B 輸出。連接到步進電機繞組 |
| BOUT1 | 10、11 | 6 | O | 輸出 | 繞組 B 輸出。連接到步進電機繞組 |
| CPH | 28 | 23 | — | 電源 | 電荷泵開關節點。在 CPH 到 CPL 之間連接一個額定電壓為 VM 的 X7R 0.022μF 陶瓷電容器。 |
| CPL | 27 | 22 | |||
| DIR | 24 | 19 | I | 輸入 | 方向輸入。邏輯電平設置步進的方向；內部下拉電阻。 |
| ENABLE | 25 | 20 | I | 輸入 | 邏輯低電平將禁用器件輸出；邏輯高電平則會啟用；內部上拉至 DVDD。還將決定 OCP 和 OTSD 響應的類型。 |
| DVDD | 15 | 10 | O | 電源 | 邏輯電源電壓。通過電容為 0.47μF 至 1μF、額定電壓為 6.3V 或 10V 的 X7R 陶瓷電容器連接至 GND。 |
| GND | 14 | 9 | — | 電源 | 器件接地。連接到系統接地。 |
| VREF | 17 | 12 | I | 輸入 | 電流設定基準輸入。最大值為 3.3V（對于 DRV8424）和 2.64V（對于 DRV8425）。DVDD 可用于通過電阻分壓器提供 VREF。 |
| M0 | 18 | 13 | I | 輸入 | 微步進模式設置引腳。設置步進模式；內部下拉電阻。 |
| M1 | 22 | 17 | |||
| DECAY0 | 21 | 16 | I | 輸入 | 衰減模式設置引腳。設置衰減模式（請參閱Topic Link Label7.3.6部分）。 |
| DECAY1 | 20 | 15 | |||
| STEP | 23 | 18 | I | 輸入 | 步進輸入。上升沿使分度器前進一步；內部下拉電阻。 |
| VCP | 1 | 24 | — | 電源 | 電荷泵輸出。將 X7R 0.22μF 16V 陶瓷電容器連接至 VM。 |
| VM | 2、13 | 1、8 | — | 電源 | 電源。連接到電機電源電壓，并通過兩個 0.01μF 陶瓷電容器（每個引腳一個）和一個額定電壓為 VM 的大容量電容器旁路到 PGND。 |
| TOFF | 19 | 14 | I | 輸入 | 設置電流斬波期間的衰減模式關斷時間；四電平引腳。還將設置智能調優紋波控制模式中的紋波電流。 |
| nFAULT | 16 | 11 | O | 漏極開路 | 故障指示。故障狀態下被拉至低邏輯低電平；開漏輸出需要外部上拉電阻。 |
| nSLEEP | 26 | 21 | I | 輸入 | 睡眠模式輸入。邏輯高電平用于啟用器件；邏輯低電平用于進入低功耗睡眠模式；內部下拉電阻。nSLEEP 低電平脈沖將清除故障。 |
| PAD | - | - | - | - | 散熱焊盤。連接到系統接地端。 |