ZHCSMN6C May 2020 – July 2022 DRV8424 , DRV8425
PRODUCTION DATA
對(duì)于在全橋內(nèi)連接的電機(jī)而言,電流路徑為通過一個(gè)半橋的高側(cè) FET 和另一個(gè)半橋的低側(cè) FET。導(dǎo)通損耗 (PCOND) 取決于電機(jī)的均方根電流 (IRMS) 以及高側(cè) (RDS(ONH)) 和低側(cè) (RDS(ONL)) 的導(dǎo)通電阻(如{9} 所示)。GUID-A7A09B58-5212-4E15-969E-0CC003CF75CD#GUID-A7A09B58-5212-4E15-969E-0CC003CF75CD/T5102272-187
{21} 中計(jì)算了{(lán)20} 中顯示的典型應(yīng)用的導(dǎo)通損耗。GUID-3F4FF2C6-E63F-43FA-89CA-B7E1CE7F8DE1#GUID-3F4FF2C6-E63F-43FA-89CA-B7E1CE7F8DE1/SLVSD398116GUID-A7A09B58-5212-4E15-969E-0CC003CF75CD#GUID-A7A09B58-5212-4E15-969E-0CC003CF75CD/T5102272-196
這種計(jì)算方式高度依賴于器件的溫度,因?yàn)闇囟葧?huì)顯著影響高側(cè)和低側(cè)的 FET 導(dǎo)通電阻。如需更準(zhǔn)確地計(jì)算該值,請考慮器件溫度對(duì) FET 導(dǎo)通電阻的影響。