ZHCSX84A October 2024 – March 2025 DRV8376
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說(shuō)明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說(shuō)明
- 7.3.1 輸出級(jí)
- 7.3.2 控制模式
- 7.3.3 器件接口模式
- 7.3.4 AVDD 和 GVDD 線性穩(wěn)壓器
- 7.3.5 電荷泵
- 7.3.6 壓擺率控制
- 7.3.7 跨導(dǎo)（死區(qū)時(shí)間）
- 7.3.8 傳播延遲
- 7.3.9 引腳圖
- 7.3.10 電流檢測(cè)放大器
- 7.3.11 主動(dòng)消磁
- 7.3.12 逐周期電流限制
- 7.3.13 保護(hù)功能
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 SPI 通信
- 8 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- NLG|28
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- NLG|28
訂購(gòu)信息
7.3.12 逐周期電流限制
電流限制電路利用三相的電流檢測(cè)放大器輸出，并將該電壓與 ILIMIT 引腳處的電壓進(jìn)行比較。圖 7-28 展示了電流限制電路的實(shí)現(xiàn)方式，其中電流檢測(cè)放大器的輸出與星形連接的電阻網(wǎng)絡(luò)相結(jié)合。這個(gè)測(cè)得的電壓 VMEAS 與 ILIMIT 引腳上的外部基準(zhǔn)電壓 VLIM 進(jìn)行比較，以實(shí)現(xiàn)電流限制實(shí)施。三相上檢測(cè)到的電流 (IOUTx) 與 VMEAS 閾值之間的關(guān)系如下所示：
方程式 5.
其中
- VVREF 是電流檢測(cè)放大器電源
- IOUTX 是流入低側(cè) MOSFET 的電流
- CSA_GAIN 是電流檢測(cè)放大器增益
可以通過(guò)配置 ILIMIT 引腳上的電壓來(lái)調(diào)整電流限制閾值。當(dāng) ILIMIT 引腳上的電壓在 VREF/2 至 VMEAS 之間變化時(shí)，電流限制會(huì)在 0A 至 4A 之間呈線性變化。可以施加大于 VVREF 的電壓來(lái)禁用 ILIMIT。
在高側(cè)和低側(cè)開(kāi)關(guān)控制輸入（INHx 和 INLx）的每個(gè)上升沿，電流限制比較器輸出均存在一個(gè)消隱時(shí)間，而在消隱時(shí)間內(nèi)，DRV8376 輸出狀態(tài)取決于 INHx 和 INLx 狀態(tài)。在 SPI 器件中，消隱時(shí)間通過(guò) ILIM_BLANK_SEL 進(jìn)行配置，而在硬件型號(hào)中，對(duì)于 50 的壓擺率，消隱時(shí)間固定為 5.5us，對(duì)于所有其他壓擺率，消隱時(shí)間則固定為 1.8us。
圖 7-28 電流限制實(shí)現(xiàn)當(dāng)電流限制激活時(shí)，每個(gè)半橋的高側(cè) FET 將被禁用，直到該半橋的高側(cè) (INHx) 的上升沿為止，如圖 7-29 所示。在 SPI 器件型號(hào)中，通過(guò)配置 ILIM_MODE 位，低側(cè) FET 可以在制動(dòng)模式或滑行（高阻態(tài)）模式下運(yùn)行。在硬件型號(hào)中，低側(cè) FET 在滑行（高阻態(tài)）模式下運(yùn)行。
圖 7-29 逐周期電流限制運(yùn)行
圖 7-30 低側(cè)在制動(dòng)模式下開(kāi)關(guān)的逐周期電流限制運(yùn)行
圖 7-31 低側(cè)在滑行模式下開(kāi)關(guān)的逐周期電流限制運(yùn)行圖 7-32 顯示了驅(qū)動(dòng)器在制動(dòng)模式下的運(yùn)行情況，其中電流通過(guò)低側(cè) FET 再循環(huán)，而高側(cè) FET 被禁用