ZHCSX84A October 2024 – March 2025 DRV8376
PRODUCTION DATA
主動消磁通過在體二極管開始導通時自動導通 MOSFET 以降低二極管導通損耗,從而降低器件中的功率損耗。主動消磁用于切換換向狀態時的梯形換向(關斷一個高側 MOSFET 并導通另一個高側 MOSFET,同時保持低側 MOSFET 導通)。當在 SPI 型號中設置 EN_ASR 和 EN_AAR 位或在硬件型號中將 OCP/SR 引腳設置為模式 2 或模式 4 時,將啟用主動消磁。
當在禁用主動消磁的情況下切換換向狀態時,會插入死區時間,低側 MOSFET 的體二極管會導通,同時導通另一個高側 MOSFET,以繼續通過電機提供電流。由于二極管的正向偏置電壓和較慢的電流耗散,該導通期間會導致更高的功率損耗。圖 9-2 顯示了在切換換向狀態時的體二極管導通。
圖 9-2 在 DRV8376 中禁用了主動消磁
圖 9-3 在 DRV8376 中啟用了主動消磁