ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 器件比較表
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
-
8 詳細(xì)說(shuō)明
- 8.1 概述
- 8.2 功能方框圖
- 8.3
特性說(shuō)明
- 8.3.1 三相智能柵極驅(qū)動(dòng)器
- 8.3.2 DVDD 線性穩(wěn)壓器
- 8.3.3 引腳圖
- 8.3.4 低側(cè)電流分流放大器 (DRV8353F)
- 8.3.5 柵極驅(qū)動(dòng)器保護(hù)電路
- 8.4 器件功能模式
- 8.5 編程
- 8.6 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RTA|40
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RTA|40
訂購(gòu)信息
8.3.1.4.2 TDRIVE：MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)控制
TDRIVE 元件是一個(gè)集成的柵極驅(qū)動(dòng)狀態(tài)機(jī)，通過(guò)開(kāi)關(guān)握手、寄生 dV/dt 柵極導(dǎo)通預(yù)防和 MOSFET 柵極故障檢測(cè)來(lái)提供自動(dòng)死區(qū)時(shí)間插入。
TDRIVE 狀態(tài)機(jī)的第一個(gè)作用是自動(dòng)死區(qū)時(shí)間插入。死區(qū)時(shí)間是外部高側(cè)和低側(cè) MOSFET 開(kāi)關(guān)之間的一段時(shí)間，旨在確保它們不會(huì)發(fā)生跨導(dǎo)并導(dǎo)致?lián)舸RV835xF 系列器件使用 VGS 電壓監(jiān)視器來(lái)測(cè)量 MOSFET 柵源電壓并確定正確的切換時(shí)間，而不是依賴固定的時(shí)間值。該功能有助于針對(duì)系統(tǒng)變化（例如溫度漂移和 MOSFET 參數(shù)變化）對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器死區(qū)時(shí)間進(jìn)行調(diào)整。可以插入一個(gè)額外的數(shù)字死區(qū)時(shí)間 (tDEAD)，并可通過(guò) SPI 器件中的寄存器對(duì)其進(jìn)行調(diào)整。
當(dāng)相電流進(jìn)入外部半橋時(shí)，如果柵極驅(qū)動(dòng)器從高側(cè) MOSFET 轉(zhuǎn)換至低側(cè) MOSFET，那么自動(dòng)死區(qū)時(shí)間插入會(huì)受到限制。在這種情況下，高側(cè)二極管將在死區(qū)時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通，并將開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓保持在 VDRAIN。在這種情況下，會(huì)在死區(qū)時(shí)間握手中引入大約 100-200ns 的額外延遲。之所以會(huì)引入該延遲，因?yàn)樾枰獙?duì)內(nèi)部 VGS 檢測(cè)電路上存在的電壓進(jìn)行放電。
第二個(gè)作用側(cè)重于防止寄生 dV/dt 柵極導(dǎo)通。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，只要 MOSFET 進(jìn)行開(kāi)關(guān)，TDRIVE 狀態(tài)機(jī)就會(huì)在相反狀態(tài)的 MOSFET 柵極上啟用強(qiáng)下拉 ISTRONG 電流。該強(qiáng)下拉會(huì)持續(xù) TDRIVE 時(shí)長(zhǎng)。當(dāng)半橋開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓快速轉(zhuǎn)換時(shí)，該功能有助于消除耦合到 MOSFET 柵極中的寄生電荷。
第三個(gè)作用是實(shí)現(xiàn)了柵極故障檢測(cè)方案，以檢測(cè)引腳對(duì)引腳焊接缺陷、MOSFET 柵極故障或 MOSFET 柵極卡在高電壓或低電壓的情況。該實(shí)現(xiàn)是通過(guò)為每個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器配備一對(duì) VGS 柵源電壓監(jiān)視器來(lái)完成的。當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)器接收到改變半橋狀態(tài)的命令時(shí)，它開(kāi)始監(jiān)測(cè)外部 MOSFET 的柵極電壓。如果在 tDRIVE 周期結(jié)束時(shí) VGS 電壓沒(méi)有達(dá)到正確的閾值，則柵極驅(qū)動(dòng)器將報(bào)告故障。為確保不會(huì)檢測(cè)到偽故障，應(yīng)選擇比 MOSFET 柵極充放電所需時(shí)間更長(zhǎng)的 tDRIVE 時(shí)間。tDRIVE 時(shí)間不會(huì)增加 PWM 時(shí)間，如果在活動(dòng)狀態(tài)下接收到另一個(gè) PWM 命令，則會(huì)終止。Topic Link Label8.6（對(duì)于 SPI 器件）和Topic Link Label8.3.3 （對(duì)于硬件接口器件）介紹了有關(guān) TDRIVE 設(shè)置的其他詳細(xì)信息。
圖 8-16 展示了運(yùn)行中的 TDRIVE 狀態(tài)機(jī)的示例。
圖 8-16 TDRIVE 狀態(tài)機(jī)