ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
在該應用示例中,器件配置為單電源運行。該配置只需要一個電源為 DRV835xF 供電,但會以增加內部功率耗散為代價。下面的示例估算了結溫。
可以使用Equation5 來計算 MOSFET 柵極電荷為 78nC、全部 3 個高側和 3 個低側 MOSFET 都進行開關以及開關頻率為 45kHz 時的 IVCP 和 IVGLS 值。
可以使用Equation20、Equation21、Equation22 和Equation23 來計算 VVM = VVDRAIN = VVIN = 48V、IVM = 9.5mA、IVCP = 10.5mA 以及 IVGLS = 10.5mA 時的 Ptot 值。
最后,若要估算工作期間的器件結溫,請使用Equation24 來計算 TAmax = 60°C、RθJA = 26.1°C/W(RTA 封裝)以及 Ptot = 2.054W 時的 TJmax 值。再次請注意,RθJA 高度依賴于實際應用中使用的 PCB 設計,應對其進行驗證。有關新舊熱指標的更多信息,請參閱《半導體和 IC 封裝熱指標》 應用報告。
如本例所示,該器件處于其運行限制范圍內,但幾乎在其最大工作結溫下運行。設計時應注意單電源配置,以正確管理器件的功率耗散。