ZHCSVR5A March 2023 – November 2024 DRV8329-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
-
8 應(yīng)用和實(shí)施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2
典型應(yīng)用
- 8.2.1 三相無(wú)刷直流電機(jī)控制
- 8.2.2 應(yīng)用曲線
- 8.3 電源相關(guān)建議
- 8.4 布局
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGF|40
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGF|40
訂購(gòu)信息
7.3.1.3.2 死區(qū)時(shí)間和跨導(dǎo)保護(hù)
在 DRV8329-Q1 中，高側(cè)和低側(cè)輸入獨(dú)立運(yùn)行，但有一個(gè)例外，即當(dāng)同一半橋的高側(cè)和低側(cè)同時(shí)開(kāi)啟時(shí)，以便防止發(fā)生跨導(dǎo)。當(dāng)高側(cè)和低側(cè)輸入同時(shí)為邏輯高電平時(shí)，該器件會(huì)關(guān)閉高側(cè)和低側(cè)輸出，以防止擊穿。
DRV8329-Q1 還提供死區(qū)時(shí)間插入功能，以防止每個(gè)半橋的兩個(gè)外部 MOSFET 同時(shí)導(dǎo)通。在具有 DT 引腳的器件中，通過(guò)在 DT 和地之間連接一個(gè)電阻器，可以在 100ns 和 2000ns 之間線性調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間。當(dāng) DT 引腳懸空或連接到 GND 時(shí)，會(huì)插入 55ns（典型值）的固定死區(qū)時(shí)間。該電阻的值可以使用以下公式計(jì)算。
方程式 1.
圖 7-4 跨導(dǎo)保護(hù)和死區(qū)時(shí)間插入