ZHCSVR5A March 2023 – November 2024 DRV8329-Q1
PRODUCTION DATA
設計不需要在功率級中使用外部元件,但外部元件有助于抑制瞬態、管理電感器線圈能量、減輕電源泵回、抑制相位振鈴或提供強大的柵源下拉路徑。這些元件用于系統調優和調試,從而確保 BLDC 電機系統穩健,同時避免損壞 DRV8329-Q1 器件或外部 MOSFET。
圖 8-5 展示了設計中可以放置功率級元件的最佳位置示例。
表 8-2 列出了一些問題示例和可以解決這些問題的外部元件:
問題 | 解決方案 | 元件 |
|---|---|---|
所需的柵極驅動電流太大,從而導致 MOSFET VDS 壓擺率非???/p> | 需要使用串聯電阻器來實現柵極驅動電流可調節性 | 柵極驅動器輸出端 (GHx/GLx) 處的 0Ω 至 100Ω 串聯電阻器 (RGATE/RSOURCE)、可選灌電流電阻器 (RSINK) 以及與柵極電阻器并聯的二極管,以實現可調節灌電流 |
相位開關節點 (SHx) 處發生振鈴,從而導致很高的 EMI 發射 | 與每個 HS/LS MOSFET 并聯放置 RC 緩沖器,以抑制振蕩 | 與 MOSFET 并聯放置的電阻器 (RSNUB) 和電容器 (CSNUB),使用適用于電機驅動器的 RC 緩沖器設計根據振鈴頻率計算 RC 值 |
低側源極 (LSS) 的負瞬態低于最小規格 | 在 HS 漏極和 LS 源極之間連接一個電容器,以抑制負反彈 | 來自 PVDD-LSS (CHSD_LSS) 的 0.01uF-1uF VM 等級電容器,放置在 LS MOSFET 的源極附近 |
低側柵極 (GLx) 的負瞬態低于最小規格 | 使用柵極和地之間的齊納二極管來鉗制負電壓 | GVDD 電壓額定齊納二極管 (DGS),陽極連接到 GND,陰極連接到 GLx |
如果柵極驅動信號為高阻態,則需要額外的保護以確保 MOSFET 關閉 | 使用外部柵源下拉電阻器(在串聯柵極電阻器之后) | 在每個 MOSFET 的柵極和源極之間連接 10kΩ 至 100kΩ 電阻器 (RPD) |