在存在器件鎖存故障的情況下,DRV8329-Q1 會(huì)進(jìn)入部分關(guān)斷狀態(tài),以幫助保護(hù)外部功率 MOSFET 和系統(tǒng)。
注: 如果用戶希望在鎖存故障事件后將器件置于睡眠狀態(tài),則需要在驅(qū)動(dòng) nSLEEP 引腳之前將輸入 INHx 和 INLx 拉低。如果輸入 INHx 和 INLx 未被驅(qū)動(dòng)為低電平,則在 nSLEEP 被驅(qū)動(dòng)為低電平達(dá)到 tRST 時(shí)間后會(huì)將故障復(fù)位,并且在器件進(jìn)入睡眠模式之前,柵極驅(qū)動(dòng)器輸出 GHx 和 GLx 上可能會(huì)出現(xiàn)脈沖。如果 INHx 和 INLx 未被拉至低電平,則 GHx 和 GLx 上的脈沖持續(xù)時(shí)間可以為 tSLEEP。