ZHCSVR5A March 2023 – November 2024 DRV8329-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細說明
- 8 應用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGF|40
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGF|40
訂購信息
8.2.1.1.3 柵極驅(qū)動電流
在開啟或關(guān)閉功率 MOSFET 柵極以開關(guān)電機電流時，選擇合適的柵極驅(qū)動電流至關(guān)重要。MOSFET 的柵極驅(qū)動電流和輸入電容的大小決定了漏源電壓壓擺率 (VDS)。柵極驅(qū)動電流可從 GVDD 流入 MOSFET 柵極 (ISOURCE) 或從 MOSFET 柵極流入 SHx 或 LSS (ISINK)。
使用過高的柵極驅(qū)動電流會造成 MOSFET 導通過快，這可能會導致過度振鈴、dV/dt 耦合或開關(guān)大電流引起的跨導。如果系統(tǒng)中存在寄生電感和電容，則可能會出現(xiàn)電壓尖峰或振鈴，這可能會損壞 MOSFET 或 DRV8329-Q1 器件。
圖 8-2 高柵極驅(qū)動電流的影響另一方面，使用過低的柵極驅(qū)動電流會導致較慢的 VDS 壓擺率。由于 RDS,on 開關(guān)損耗，MOSFET 的導通速度太慢可能會使 MOSFET 升溫。
柵極驅(qū)動電流 IGATE、MOSFET 柵漏電荷 QGD 和 VDS 壓擺率開關(guān)時間 trise,fall 之間的關(guān)系如以下公式所示：
方程式 8.
方程式 9.
建議在較低的柵極驅(qū)動電流下進行評估并增加柵極驅(qū)動電流設置，避免在初始評估期間因意外操作而造成損壞。