ZHCSVR5A March 2023 – November 2024 DRV8329-Q1
PRODUCTION DATA
在開啟或關(guān)閉功率 MOSFET 柵極以開關(guān)電機電流時,選擇合適的柵極驅(qū)動電流至關(guān)重要。MOSFET 的柵極驅(qū)動電流和輸入電容的大小決定了漏源電壓壓擺率 (VDS)。柵極驅(qū)動電流可從 GVDD 流入 MOSFET 柵極 (ISOURCE) 或從 MOSFET 柵極流入 SHx 或 LSS (ISINK)。
使用過高的柵極驅(qū)動電流會造成 MOSFET 導通過快,這可能會導致過度振鈴、dV/dt 耦合或開關(guān)大電流引起的跨導。如果系統(tǒng)中存在寄生電感和電容,則可能會出現(xiàn)電壓尖峰或振鈴,這可能會損壞 MOSFET 或 DRV8329-Q1 器件。
另一方面,使用過低的柵極驅(qū)動電流會導致較慢的 VDS 壓擺率。由于 RDS,on 開關(guān)損耗,MOSFET 的導通速度太慢可能會使 MOSFET 升溫。
柵極驅(qū)動電流 IGATE、MOSFET 柵漏電荷 QGD 和 VDS 壓擺率開關(guān)時間 trise,fall 之間的關(guān)系如以下公式所示:
建議在較低的柵極驅(qū)動電流下進行評估并增加柵極驅(qū)動電流設置,避免在初始評估期間因意外操作而造成損壞。