ZHCSVR5A March 2023 – November 2024 DRV8329-Q1
PRODUCTION DATA
如果電機需要更高的 MOSFET 持續漏極電流額定值,則可以使用并聯 MOSFET 以提供更高的電流能力。但是,這需要特殊的原理圖和布局設計要求來同時開關兩個 MOSFET,因為由于工藝差異,一個 MOSFET 的導通速度可能比另一個 MOSFET 快。
建議將 MOSFET 盡可能彼此靠近放置,同時使用一個公共的柵極信號,并在盡可能靠近 MOSFET 柵極處進行拆分。如果需要柵極電阻,則計算等效額定 MOSFET 所需的等效電阻,并將柵極電阻器盡可能靠近 MOSFET 柵極輸入端放置,以抑制到柵極驅動器的任何耦合問題。
更多相關信息,請查看驅動并聯 MOSFET 應用簡報。