ZHCSVS8 April 2024 DRV8235
PRODUCTION DATA
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源 (VM) | ||||||
| IVMQ | VM 睡眠模式電流 | nSLEEP = 0V,VVM = 24V,TJ = 27°C | 0.1 | 1 | μA | |
| IVM | VM 工作模式電流 | nSLEEP = 3.3V,IN1 = 3.3V,IN2 = 0V,VVM = 24V | 3.5 | 4 | mA | |
| tWAKE | 開通時間 | nSLEEP = 1 至 I2C 就緒 | 410 | μs | ||
| 邏輯電平輸入(IN1、IN2、SDA、SCL、nSLEEP) | ||||||
| VIL | 輸入邏輯低電平電壓 | 0 | 0.5 | V | ||
| VIH | 輸入邏輯高電平電壓 | 1.5 | 5.5 | V | ||
| VHYS | 輸入遲滯 | 160 | mV | |||
| VHYS | 輸入遲滯 | nSLEEP 引腳 | 60 | |||
| IIL | 輸入邏輯低電平電流 | VI = 0V | -1 | 1 | μA | |
| IIH | 輸入邏輯高電流 | VI = 5V | 33 | 100 | μA | |
| RPD | 輸入下拉電阻,INx | 至 GND | 100 | kΩ | ||
| tDEGLITCH | 輸入邏輯抗尖峰,INx | 50 | ns | |||
| 三電平輸入(A1、A0) | ||||||
| VTIL | 三電平輸入邏輯低電壓 | 0 | 0.6 | V | ||
| VTIHZ | 三電平輸入高阻抗電壓 | 1.8 | 2 | 2.2 | V | |
| VTIH | 三電平輸入邏輯高電壓 | 2.7 | 5.5 | V | ||
| RTPD | 三電平下拉電阻 | 至 GND | 200 | kΩ | ||
| ITPU | 三電平上拉電流 | 至 3.3V | 10 | μA | ||
| 開漏輸出(nFAULT、SDA) | ||||||
| VOL | 輸出邏輯低電壓 | IOD = 5mA | 0.3 | V | ||
| IOZ | 輸出邏輯高電流 | VOD = 3.3V | -1 | 1 | μA | |
| tPW_nFAULT | nFAULT 低脈沖寬度 | RC 計數溢出,RC_REP = 11b | 30 | 50 | 70 | μs |
| CB | 每條總線的 SDA 容性負載 | 400 | pF | |||
| 驅動器輸出(OUTx) | ||||||
| RDS(ON)_HS | 高側 MOSFET 導通電阻 | IOUTx = 1A;TJ = 25°C | 300 | 360 | mΩ | |
| RDS(ON)_HS | 高側 MOSFET 導通電阻 | IOUTx = 1A;TJ = 125°C | 450 | 540 | mΩ | |
| RDS(ON)_HS | 高側 MOSFET 導通電阻 | IOUTx = 1A;TJ = 150°C | 500 | 600 | mΩ | |
| RDS(ON)_LS | 低側 MOSFET 導通電阻 | IOUTx = -1A;TJ = 25°C | 300 | 360 | mΩ | |
| RDS(ON)_LS | 低側 MOSFET 導通電阻 | IOUTx = -1A;TJ = 125°C | 450 | 540 | mΩ | |
| RDS(ON)_LS | 低側 MOSFET 導通電阻 | IOUTx = -1A;TJ = 150°C | 500 | 600 | mΩ | |
| VSD | 體二極管正向電壓 | IOUTx = -1A | 0.8 | V | ||
| tRISE | 輸出上升時間 | VOUTx 從 VVM 的 10% 上升至 90% | 200 | ns | ||
| tFALL | 輸出下降時間 | VOUTx 從 VVM 的 90% 下降至 10% | 140 | ns | ||
| tPD | 輸入至輸出傳播延遲 | 輸入至 OUTx | 650 | ns | ||
| tDEAD | 輸出死區時間 | 200 | ns | |||
| 電流檢測和調節(IPROPI、VREF) | ||||||
| VREF_INT | 內部基準電壓 | INT_VREF = 1b | 2.88 | 3 | 3.12 | V |
| AIPROPI | 電流比例因子 | 1500 | μA/A | |||
| AERR | 電流鏡總誤差 | IOUT = 0.1A,VVM ≥ 5.5V | -10 | 10 | % | |
| AERR | 電流鏡總誤差 | 0.15A ≤ IOUT < 0.5A,VVM ≥ 5.5V | -7 | 7 | % | |
| AERR | 電流鏡總誤差 | IOUT ≥ 0.5A,VVM ≥ 5.5V | -5 | 5 | % | |
| tOFF | 電流調節關斷時間 | 20 | μs | |||
| tBLANK | 電流檢測消隱時間 | TBLANK = 0b | 1.8 | μs | ||
| tBLANK | 電流檢測消隱時間 | TBLANK = 1b | 1 | μs | ||
| tDEG | 電流調節和失速檢測抗尖峰脈沖時間 | TDEG = 0b | 2 | μs | ||
| tDEG | 電流調節和失速檢測抗尖峰脈沖時間 | TDEG = 1b | 1 | μs | ||
| tINRUSH | 用于失速檢測的浪涌時間消隱 | 5 | 6716 | ms | ||
| 電壓調節 | ||||||
| ΔVLINE | 線性調節 | 5.5V ≤ VVM ≤ 38V,VOUT = 5V,IOUT = 2A | ±2% | |||
| ΔVLOAD | 負載調節 | VVM = 24V,VOUT = 5V,IOUT = 100mA 至 2A | ±1% | |||
| 保護電路 | ||||||
| VUVLO_VM | VM 電源欠壓鎖定 (UVLO) | 電源上升 | 4.15 | 4.3 | 4.45 | V |
| 電源下降 | 4.05 | 4.2 | 4.35 | V | ||
| VUVLO_HYS | 電源 UVLO 遲滯 | 上升至下降閾值 | 100 | mV | ||
| tUVLO | 電源欠壓抗尖峰脈沖時間 | VVM 下降至 OUTx 已禁用 | 10 | μs | ||
| VRST | VM UVLO 復位 | VM 下降,器件復位,無 I2C 通信 | 3.9 | V | ||
| VOVP_TH | 過壓保護閾值 | VOUT - VVM | 200 | mV | ||
| tOVP_ON | 過壓保護開通時間 | 10 | μs | |||
| tOVP_OFF | 過壓保護關斷時間 | 250 | μs | |||
| IOCP | 過流保護跳變點 | 3.7 | A | |||
| tOCP | 過流保護抗尖峰脈沖時間 | 2 | μs | |||
| tRETRY | 重試時間 | 1.7 | ms | |||
| TTSD | 熱關斷溫度 | 150 | 175 | °C | ||
| THYS | 熱關斷遲滯 | 40 | °C | |||