IPROPI 引腳會(huì)根據(jù)流經(jīng) H 橋中的低側(cè)功率 MOSFET 并經(jīng)過(guò) (A_IPROPI) 電流鏡增益調(diào)節(jié)的電流，輸出與之成比例的模擬電流?？墒褂靡韵鹿接?jì)算 IPROPI 輸出電流。只有當(dāng)電流在低側(cè) MOSFET 中從漏極流向源極時(shí)，公式中的 I_LSx 才有效。如果電流從源極流向漏極或流經(jīng)體二極管，則該通道的 I_LSx 值為零。例如，如果電橋處于制動(dòng)/慢速衰減狀態(tài)，則 IPROPI 外的電流僅與其中一個(gè)低側(cè) MOSFET 中的電流成正比。

“電氣特性”表中的 A_ERR 參數(shù)是與 A_IPROPI 增益相關(guān)的誤差。它表示 I_OUT 電流中增加的偏移量誤差和增益誤差帶來(lái)的綜合影響。電流鏡增益 A_IPROPI 固定為 1500μA/A。

電機(jī)電流由低側(cè) FET 上的內(nèi)部電流鏡架構(gòu)測(cè)得，而無(wú)需使用外部功率檢測(cè)電阻，如下所示。電流鏡架構(gòu)能夠檢測(cè)驅(qū)動(dòng)和制動(dòng)低側(cè)慢速衰減期間的電機(jī)繞組電流，從而在典型雙向有刷直流電機(jī)應(yīng)用中持續(xù)監(jiān)測(cè)電流。在滑行模式下，電流是續(xù)流電流，無(wú)法被感測(cè)到，原因是電流從源極流向漏極。但是，可以在驅(qū)動(dòng)或慢速衰減模式下短暫重新啟用驅(qū)動(dòng)器，并在再次切換回滑行模式之前測(cè)量此電流，從而對(duì)電流進(jìn)行采樣。

圖 7-4 集成電流檢測(cè)

應(yīng)將 IPROPI 引腳連接到外部電阻器 (R_IPROPI) 以接地，從而利用 I_IPROPI 模擬電流輸出在 IPROPI 引腳上產(chǎn)生一個(gè)成比例電壓 (V_IPROPI)。這樣即可使用標(biāo)準(zhǔn)模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 將負(fù)載電流作為 R_IPROPI 電阻器兩端的壓降進(jìn)行測(cè)量?？梢愿鶕?jù)應(yīng)用中的預(yù)期負(fù)載電流來(lái)調(diào)節(jié) R_IPROPI 電阻器的大小，以利用控制器 ADC 的整個(gè)量程。此外，DRV8235 采用了一個(gè)內(nèi)部 IPROPI 電壓鉗位電路，可基于 VREF 引腳上的 V_VREF 限制 V_IPROPI，并在發(fā)生輸出過(guò)流或意外高電流事件時(shí)保護(hù)外部 ADC。TI 建議在 V_VM 與 ADC 要測(cè)量的最大 V_IPROPI 電壓 (V_{IPROPI_MAX}) 之間設(shè)計(jì)至少 1.25V 的余量。這可確保 ADC 測(cè)量的所有 VIPROPI 電壓具有準(zhǔn)確性。例如，V_VM 為 4.55V 至 11V 時(shí)，V_{IPROPI_MAX} 可以高達(dá) 3.3V；V_VM 為 3.3V 時(shí)，VIPROPI 可準(zhǔn)確確定為高達(dá) 2.05V。

可以使用如下公式計(jì)算對(duì)應(yīng)于輸出電流的 IPROPI 電壓：

IPROPI 輸出帶寬受內(nèi)部電流檢測(cè)電路的檢測(cè)延遲時(shí)間 (t_DELAY) 限制。此時(shí)間是指從低側(cè) MOSFET 啟用命令（來(lái)自 INx 引腳）到 IPROPI 輸出準(zhǔn)備就緒這兩個(gè)時(shí)間點(diǎn)之間的延遲。

在 H 橋 PWM 信號(hào)中，如果器件在驅(qū)動(dòng)和慢速衰減（制動(dòng)）之間交替切換，則檢測(cè)電流的低側(cè) MOSFET 會(huì)持續(xù)導(dǎo)通，但感測(cè)延遲時(shí)間對(duì) IPROPI 輸出不會(huì)產(chǎn)生任何影響。如果 INx 引腳上的命令禁用低側(cè) MOSFET（根據(jù)真值表），則 IPROPI 輸出將與輸入邏輯信號(hào)一同禁用。雖然低側(cè) MOSFET 在根據(jù)器件壓擺率（在“電氣特性”表中以 t_RISE 時(shí)間指定）禁用時(shí)仍可能傳導(dǎo)電流，但 IPROPI 在此關(guān)斷時(shí)間內(nèi)不會(huì)出現(xiàn)低側(cè) MOSFET 中的電流。