ZHCSKQ6B July 2020 – June 2021 DRV8106-Q1
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
使用推薦容值為 0.1 μF 的低 ESR 陶瓷旁路電容器將 PVDD 引腳旁路至 GND 引腳。將該電容器放置在盡可能靠近 PVDD 引腳的位置，并通過(guò)較寬的跡線或接地平面連接到 GND 引腳。此外，使用額定電壓為 VM 的大容量電容器將 PVDD 引腳旁路掉。該元件可以是電解電容器。其容值必須至少為 10 μF。如果該電容與外部功率 MOSFET 的大容量電容共享，也是可接受的。
需要額外的大容量電容來(lái)旁路掉外部 MOSFET 上的大電流路徑。放置此大容量電容時(shí)應(yīng)做到盡可能縮短通過(guò)外部 MOSFET 的大電流路徑的長(zhǎng)度。連接金屬跡線應(yīng)盡可能寬，并具有許多連接 PCB 層的過(guò)孔。這些做法最大限度地減少了電感并允許大容量電容器提供大電流。
在 CPL 和 CPH 引腳之間放置一個(gè)低 ESR 陶瓷電容器。該電容器的容值應(yīng)為 0.1 μF，額定電壓為 PVDD，類型為 X5R 或 X7R。此外，在 VCP 和 PVDD 引腳之間放置一個(gè)低 ESR 陶瓷電容器。該電容器的容值應(yīng)為 1 μF，額定電壓為 16V，類型為 X5R 或 X7R。
使用一個(gè)容值為 1.0 μF、額定電壓為 6.3V 且類型為 X5R 或 X7R 的低 ESR 陶瓷電容器將 DVDD 引腳旁路至 GND 引腳。將此電容器盡可能靠近引腳放置，并盡量縮短從電容器到 GND 引腳的路徑。如果另一個(gè)旁路電容器靠近用于外部低壓電源的器件，并且電源上的噪聲很小，則可以選擇移除該元件。
使用一個(gè)容值為 0.1 μF、額定電壓為 6.3V 且類型為 X5R 或 X7R 的低 ESR 陶瓷電容器將 AREF 引腳旁路至 GND 引腳。將此電容器盡可能靠近引腳放置，并盡量縮短從電容器到 GND 引腳的路徑。如果另一個(gè)旁路電容器靠近用于外部低壓電源的器件，并且電源上的噪聲很小，則可以選擇移除該元件。
DRAIN 引腳可以直接短接到 PVDD 引腳。但是，如果器件和外部 MOSFET 之間的距離很大，請(qǐng)使用專用跡線連接到高側(cè)外部 MOSFET 的漏極公共點(diǎn)。不要將 SLx 引腳直接連接到接地平面，而是應(yīng)該使用專用跡線將這些引腳連接到低側(cè)外部 MOSFET 的源極。遵循這些建議有助于更準(zhǔn)確地感測(cè)外部 MOSFET 的 VDS 以實(shí)現(xiàn)過(guò)流檢測(cè)。
最大限度地縮短高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的回路長(zhǎng)度。高側(cè)環(huán)路是從器件的 GHx 引腳到高側(cè)功率 MOSFET 柵極，然后沿著高側(cè) MOSFET 源極返回到 SHx 引腳。低側(cè)環(huán)路是從器件的 GLx 引腳到低側(cè)功率 MOSFET 柵極，然后沿著低側(cè) MOSFET 源極返回到 SLx 引腳。