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ZHCSKQ6B July 2020 – June 2021 DRV8106-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RHB|32

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RHB|32
- QFND589

訂購信息

7.3.8.7 MOSFET V_DS 過流保護 (VDS_OCP)

如果 V_DS 過流比較器上的電壓高于 V_{DS_LVL} 的時間超過 t_{DS_DG} 時間，則 DRV8106-Q1 會檢測到 V_DS 過流條件。電壓閾值和抗尖峰脈沖時間可通過 VDS_LVL 和 VDS_DG 寄存器設(shè)置進行調(diào)整。此外，在獨立半橋和分離式 HS/LS PWM 控制（BRG_MODE = 00b、11b）中，可將器件配置為禁用所有半橋，或僅通過 VDS_IND 寄存器設(shè)置來禁用發(fā)生了故障的相關(guān)半橋。

在 SPI 器件型號上，V_DS 過流監(jiān)控器可以在通過 VDS_MODE 寄存器設(shè)置進行設(shè)定的四種不同模式下執(zhí)行響應(yīng)和恢復(fù)。

鎖存故障模式：檢測到過流事件后，將啟用柵極驅(qū)動器下拉電阻，并且 nFAULT 引腳、FAULT 寄存器位和相關(guān)的 VDS 寄存器位會被置位。過流事件消失后，仍會鎖存故障狀態(tài)，直到發(fā)出 CLR_FLT。
逐周期模式：檢測到過流事件后，將啟用柵極驅(qū)動器下拉電阻，并且 nFAULT 引腳、FAULT 寄存器位和相關(guān)的 VDS 寄存器位會被置位。下一個 PWM 輸入將清除 nFAULT 引腳和 FAULT 寄存器位，并自動重新啟用驅(qū)動器。相關(guān)的 VDS 寄存器位將保持置位狀態(tài)，直到發(fā)出 CLR_FLT。
僅警告報告模式：在 WARN 和相關(guān) VDS 寄存器位中報告過流事件。器件不會執(zhí)行任何操作。在發(fā)出 CLR_FLT 之前，警告將保持鎖存狀態(tài)。
禁用模式：V_DS 過流監(jiān)控器被禁用，不會響應(yīng)或報告。

在 H/W 器件型號上，V_DS 過流模式固定為逐周期，t_{VDS_DG} 固定為 4 μs。對于獨立半橋和分離式 HS/LS PWM 控制模式，會自動啟用獨立半橋關(guān)斷功能。此外，可通過 VDS 引腳多電平輸入電平 6 來禁用 V_DS 過流保護功能。

當(dāng)發(fā)生 V_DS 過流故障時，可配置柵極下拉電流，以便增加或減少禁用外部 MOSFET 的時間。這有助于避免在大電流短路條件下關(guān)斷速度過慢的問題。此設(shè)置通過 SPI 器件上的 VDS_IDRVN 寄存器設(shè)置進行配置。在硬件器件上，此設(shè)置自動匹配已設(shè)定的 I_DRVN 電流。

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

7.3.8.7 MOSFET VDS 過流保護 (VDS_OCP)

7.3.8.7 MOSFET V_DS 過流保護 (VDS_OCP)