ZHCSKQ6B July 2020 – June 2021 DRV8106-Q1
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置
- 6 規(guī)格
-
7 詳細說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說明
- 7.3.1 外部元件
- 7.3.2 器件接口類型
- 7.3.3 輸入 PWM 模式
- 7.3.4 智能柵極驅(qū)動器
- 7.3.5 倍增（單級）電荷泵
- 7.3.6 寬共模差分電流分流放大器
- 7.3.7 引腳圖
- 7.3.8
保護和診斷
- 7.3.8.1 柵極驅(qū)動器禁用和啟用（DRVOFF 和 EN_DRV）
- 7.3.8.2 故障復位 (CLR_FLT)
- 7.3.8.3 DVDD 邏輯電源上電復位 (DVDD_POR)
- 7.3.8.4 PVDD 電源欠壓監(jiān)控器 (PVDD_UV)
- 7.3.8.5 PVDD 電源過壓監(jiān)控器 (PVDD_OV)
- 7.3.8.6 VCP 電荷泵欠壓鎖定 (VCP_UV)
- 7.3.8.7 MOSFET VDS 過流保護 (VDS_OCP)
- 7.3.8.8 柵極驅(qū)動器故障 (VGS_GDF)
- 7.3.8.9 熱警告 (OTW)
- 7.3.8.10 熱關斷 (OTSD)
- 7.3.8.11 離線短路和開路負載檢測（OOL 和 OSC）
- 7.3.8.12 故障檢測和響應匯總表
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 編程
- 7.6 寄存器映射
- 8 應用和實現(xiàn)
- 9 電源相關建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHB|32
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHB|32
訂購信息
7.3.4.3 柵極驅(qū)動狀態(tài)機 (TDRIVE)
智能柵極驅(qū)動架構(gòu)的 TDRIVE 元件是一個集成的柵極驅(qū)動狀態(tài)機，可提供自動死區(qū)時間插入、dV/dt 柵極寄生耦合預防和 MOSFET 柵極故障檢測等功能。
TDRIVE 狀態(tài)機的第一個作用是自動死區(qū)時間握手。死區(qū)時間是外部高側(cè)和低側(cè) MOSFET 開關期間體二極管導通的一段時間，旨在防止發(fā)生任何跨導或擊穿。DRV8106-Q1 使用 VGS 監(jiān)控器來實施斷路，然后通過測量外部 MOSFET VGS 電壓來確定正確啟用外部 MOSFET 的時間，從而建立死區(qū)時間方案。該方案使柵極驅(qū)動器能夠針對系統(tǒng)變化（例如溫度漂移、老化、電壓波動和外部 MOSFET 參數(shù)變化）來調(diào)整死區(qū)時間。如有需要，可插入一個額外的固定數(shù)字死區(qū)時間 (tDEAD_D)，并可通過 SPI 寄存器對其進行調(diào)整。
第二個作用側(cè)重于防止 dV/dt 柵極電荷寄生耦合。為實現(xiàn)這一點，每當半橋中相反狀態(tài)的 MOSFET 開關時可啟用柵極強下拉電流 (ISTRONG)。當半橋開關節(jié)點快速轉(zhuǎn)換時，使用此功能可以消除耦合到外部 MOSFET 柵極中的寄生電荷。
第三個作用是實施柵極故障檢測方案以檢測柵極電壓問題。這個方案用于檢測引腳對引腳的焊接缺陷、MOSFET 柵極故障或者柵極卡在高電壓或低電壓的情況。為此，需使用 VGS 監(jiān)控器在 tDRIVE 時間結(jié)束后測量柵極電壓。如果柵極電壓沒有達到適當?shù)拈撝担瑬艠O驅(qū)動器將報告相應的故障情況。為確保不會檢測到偽故障，應選擇比 MOSFET 柵極充放電所需時間更長的 tDRIVE 時間。tDRIVE 時間不會影響 PWM 最小持續(xù)時間，如果收到另一個 PWM 命令，此時間將提前終止。
圖 7-5 TDRIVE 狀態(tài)機