ZHCSQH2B November 2024 – February 2025 DRV81008-Q1
PRODUCTION DATA
| 最小值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
VM | 模擬電源電壓 | -0.3 | 42 | V |
VDD | 數(shù)字電源電壓 | -0.3 | 5.75 | V |
VM_LD | 負(fù)載突降保護(hù)的電源電壓 | 42 | V | |
VM_SC | 短路保護(hù)的電源電壓 | 0 | 28 | V |
-VM_REV | 反極性電壓，所有通道上均為 TJ(0)= 25°C、t ≤ 2 分鐘、RL = 70Ω | - | 18 | V |
IVM | 流經(jīng) VM 引腳的電流，t ≤ 2 分鐘 | -10 | 10 | mA |
|IL| | 負(fù)載電流，單通道 | - | IL_OCP0 | A |
VDS | 功率 FET 處電壓 | -0.3 | 42 | V |
| EAS | 最大能量耗散單脈沖，TJ(0) = 25°C，IL(0) = 2*IL_EAR | - | 50 | mJ |
| EAS | 最大能量耗散單脈沖，TJ(0) = 150°C，IL(0) = 400mA | - | 25 | mJ |
| EAR | 重復(fù)脈沖的最大能量耗散 -IL_EAR，2*106 個(gè)周期，TJ(0) = 85°C，IL(0) = IL_EAR | - | 10 | mJ |
VI | IN0、IN1、nSCS、SCLK、SDI 引腳處電壓 | -0.3 | 5.75 | V |
VnSLEEP | nSLEEP 引腳處電壓 | -0.3 | 42 | V |
| VSDO | SDO 引腳的電壓 | -0.3 | VDD + 0.3 | V |
TA | 環(huán)境溫度 | -40 | 125 | °C |
TJ | 結(jié)溫 | -40 | 150 | °C |
| Tstg | 貯存溫度 | -55 | 150 | °C |
過(guò)流保護(hù)功能不支持高于 28V 時(shí)短電感 < 1μH
負(fù)載突降的持續(xù)時(shí)間為 ton = 400ms；ton/toff = 10%；限制為 100 個(gè)脈沖。
對(duì)于反極性，所有通道上均為 TJ(0) = 25°C、t ≤ 2 分鐘、RL = 70Ω。器件根據(jù) JEDEC JESD51-2、-5、-7，在自然對(duì)流條件下安裝在 FR4 2s2p 電路板上；產(chǎn)品（芯片+封裝）在具有 2 個(gè)內(nèi)部銅層（2μm*70μm Cu、2μm*35μm Cu）的 76.2mm*114.3mm*1.5mm 電路板上進(jìn)行仿真。在適用情況下，外露焊盤下方的散熱過(guò)孔陣列接觸第一個(gè)內(nèi)部銅層。
對(duì)于最大能量耗散，脈沖形狀表示電感開關(guān)關(guān)閉：IL(t) = IL(0) x (1 - t/tpulse)；0 < t < tpulse。
超出“絕對(duì)最大額定值”運(yùn)行可能會(huì)對(duì)器件造成永久損壞。絕對(duì)最大額定值并不表示器件在這些條件下或在建議運(yùn)行條件以外的任何其他條件下能夠正常運(yùn)行。如果超出“建議運(yùn)行條件”但在“絕對(duì)最大額定值”范圍內(nèi)使用，器件可能不會(huì)完全正常運(yùn)行，這可能影響器件的可靠性、功能和性能并縮短器件壽命。
故障條件被視為“超出”正常工作范圍。