ZHCSQH2B November 2024 – February 2025 DRV81008-Q1
PRODUCTION DATA
VM 引腳應(yīng)通過低 ESR 陶瓷旁路電容器旁路至 GND，該電容器的建議電容值為 68nF 且額定電壓為 VM。此類電容器應(yīng)盡可能靠近 VM 引腳放置，并通過較寬的布線或接地平面與器件 GND 引腳連接。
使用低 ESR 陶瓷電容器將 VDD 引腳旁路至接地。建議使用一個電容值為 100nF、額定電壓為 6.3V 的電容器。將此旁路電容器盡可能靠近引腳放置。
通常，必須避免電源引腳和去耦電容器之間的電感。
在 DRV81008-Q1 的 IN0、IN1、nSLEEP、nSCS、SCLK、SDI、SDO 和 VDD 引腳與微控制器的相應(yīng)引腳之間連接串聯(lián)電阻器。節(jié) 6.3 顯示了電阻器建議值。
封裝的散熱焊盤必須連接至系統(tǒng)接地端。
建議整個系統(tǒng)/電路板使用一個大的不間斷單一接地平面。接地平面可在 PCB 底層制成。
為了盡可能地減小阻抗和電感，在通過通孔連接至底層接地平面之前，接地引腳的布線應(yīng)盡可能短且寬。
建議使用多個通孔來降低阻抗。
盡量清理器件周圍的空間（尤其是在 PCB 底層），從而改善散熱。
連接至散熱焊盤的單個或多個內(nèi)部接地平面也有助于散熱并降低熱阻。