ZHCSW11C November 2024 – September 2025 BQ27Z758
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| N 溝道 FET 驅動器,CHG 和 DSG | ||||||
| VDRIVER | 柵極驅動器電壓,VCHG 或 VDSG | CLOAD = 8nF | 2 × VDD | V | ||
| AFETON | FET 驅動器增益系數,連接至 FET 的 Vgs 電壓 | AFETON = (Vdriver – VDD)/VDD,CLOAD = 8nF,UVP < VDD < 3.8V | 0.9 | 1.0 | 1.2 | V/V |
| VDSGOFF | DSG FET 驅動器關斷輸出電壓 | VDSGOFF = VDSG – PACK,CL= 8nF | 0.2 | V | ||
| VCHGOFF | CHG FET 驅動器關斷輸出電壓 | VCHGOFF = VCHG – VSS,CL= 8nF | 0.2 | V | ||
| trise | FET 驅動器上升時間 (1) | CL = 8nF,(Vdriver – VDD)/VDD = 1 x VFETON 從 VDD 變為 2 × VDD | 400 | 800 | us | |
| tfall | FET 驅動器下降時間(1) | CL = 8nF,VFETON 從 VFETMAX 變為 VFETOFF | 50 | 200 | us | |
| VFET_SHUT | 固件 FET 驅動器關斷電壓(2)(4) | 可配置,步長為 1mV | 2000 | 2100 | 5000 | mV |
| VFET_SHUT_REL | 固件 FET 驅動器關斷釋放(2)(4) | 2000 | 2300 | 5000 | mV | |
| ILOAD | FET 驅動器最大負載 | 10 | uA | |||
| 電壓保護 | ||||||
| VOVP | 硬件過壓保護 (OVP) 檢測范圍(3) |
建議的閾值范圍。經過出廠修整,步長為 50mV |
3500 | 5000 | mV | |
|
出廠默認修整閾值(3) |
4525 | |||||
| VOVP_ACC | 硬件 OVP 檢測精度(3) | TA = 25°C,充放電時的 CLOAD < 1μA | -15 | 15 | mV | |
| TA = 0°C 至 60°C,充放電時的 CLOAD < 1μA | -25 | 25 | mV | |||
| TA = –40°C 至 85°C,充放電時的 CLOAD < 1μA | -50 | 50 | mV | |||
| VFW_OVP | 固件 OVP 檢測范圍(4) | 可配置,步長為 1mV | 2000 | 4490 | 5000 | mV |
| VFW_OVP_REL | 固件 OVP 釋放范圍(4) | 2000 | 4290 | 5000 | mV | |
| VUVP | 硬件欠壓 (UVP) 檢測范圍(3) | 建議的閾值范圍。經過出廠修整,步長為 50mV | 2000 | 4000 | mV | |
| 出廠默認修整閾值(3) | 2300 | |||||
| VUVP_ACC | 硬件 UVP 檢測精度(3) | TA = 25°C,充放電時的 CLOAD < 1μA | -20 | 20 | mV | |
| TA = 0°C 至 60°C,充放電時的 CLOAD < 1uA | -30 | 30 | mV | |||
| TA = –40°C 至 85°C,充放電時的 CLOAD < 1uA | -50 | 50 | mV | |||
| VFW_UVP | 固件 UVP 檢測范圍(4) | 可配置,步長為 1mV | 2000 | 2500 | 5000 | |
| VFW_UVP_REL | 固件 UVP 釋放范圍(4) | 2000 | 2900 | 5000 | mV | |
| RPACK-VSS | PACK 和 VSS 之間的電阻 | 僅限關斷模式 | 100 | 300 | 550 | kΩ |
| VRCP | 反向充電保護限制 | –10V 持續工作電壓,絕對最大值 –12V | -10 | V | ||
| 電流保護 | ||||||
| VOCC | 充電過流 (OCC) 的檢測電壓閾值范圍(3)(4) |
建議的閾值范圍。經過出廠修整,步長為 1mV |
4 | 100 | mV | |
| 出廠默認修整閾值(3) | 14 | |||||
| VOCC | OCC 2mV 步長設計選項 | 2mV 步長配置選項 | 2 | 256 | mV | |
| IOCC | 有效 OCC 電流閾值范圍(相對于 VOCC)(1)(4) | 理想 RSNS = 1m? | 4 | 14 | 100 | A |
| 理想 RSNS = 2m? | 2 | 7 | 50 | |||
| 理想 RSNS = 5m? | 0.8 | 2.8 | 20 | |||
| IFW_OCC | 固件 OCC 檢測范圍(4) | 可配置,步長為 1mA | 0 | 12000 | +ICC_IN | mA |
| VOCD | 放電過流 (OCD) 的檢測電壓閾值范圍(3)(4) |
建議的閾值范圍。經過出廠修整,步長為 1mV |
-4 | -100 | mV | |
| 出廠默認修整閾值(3) | -16 | |||||
| VOCD | OCD 2mV 步長設計選項 | ±2mV 步長配置選項 | -2 | -256 | mV | |
| IOCD | 有效 OCD 電流閾值范圍(相對于 VOCD)(1)(4) | 理想 RSNS = 1m? | -4 | -16 | -100 | A |
| 理想 RSNS = 2m? | -2 | -8 | -50 | |||
| 理想 RSNS = 5m? | -0.8 | -3.2 | -20 | |||
| IFW_OCD | 固件 OCD 檢測范圍(4) | 可配置,步長為 1mA | –ICC_IN | -7000 | 0 | mA |
| VSCD | 放電短路電流 (SCD) 的檢測電壓閾值范圍(3)(4) | 閾值經過出廠修整,步長為 1mV | -5 | -120 | mV | |
| 出廠默認修整閾值(3) | -20 | |||||
| ISCD | 有效 SCD 電流閾值范圍(相對于 VSCD)(1)(4) | 理想 RSNS = 1m? | -5 | -20 | -120 | A |
| 理想 RSNS = 2m? | -2.5 | -10 | -60 | |||
| 理想 RSNS = 5m? | -1 | -4 | -24 | |||
| VOC_ACC | 過流(OCC、OCD、SCD)檢測精度(3) | <20mV,TA = –25°C 至 60°C | -2.1 | 2.1 | mV | |
| <20mV | -2.1 | 2.1 | ||||
| 20mV–55mV | -3 | 3 | ||||
| 56mV–100mV | -5 | 5 | ||||
| >100mV | -12 | 12 | ||||
| IPACK-VDD | 電流故障期間 PACK 和 VDD 之間的灌電流 | 固件中的負載移除檢測 |
15 | μA | ||
| VOC_REL | OCC 故障釋放閾值 | (VPACK – VBAT) | 100 | mV | ||
| OCD、SCD 故障釋放閾值 | -400 | mV | ||||
| 過熱保護 | ||||||
| TOTC_TRIP | OTC 跳變/釋放閾值(2)(4) | 基于固件并可配置,步長為 0.1°C | -40.0 | 55.0 | 150.0 | °C |
| TOTC_REL | -40.0 | 50.0 | 150.0 | °C | ||
| TOTD_TRIP | OTD 跳變/釋放閾值(2)(4) | -40.0 | 60.0 | 150.0 | °C | |
| TOTD_REL | -40.0 | 55.0 | 150.0 | °C | ||
| TUTC_TRIP | UTC 跳變/釋放閾值(2)(4) | -40.0 | 0.0 | 150.0 | °C | |
| TUTC_REL | -40.0 | 5.0 | 150.0 | °C | ||
| TUTD_TRIP | UTD 跳變/釋放閾值(2)(4) | -40.0 | 0.0 | 150.0 | °C | |
| TUTD_REL | -40.0 | 5.0 | 150.0 | °C | ||
| 保護延遲(1) | ||||||
| tOVP | OVP 檢測延遲(去抖)選項(1)(4) | 支持 4095 種延遲選項配置,步長為 1.953ms。出廠默認值 = 1000ms(512 個計數)典型值 | 1.953 | 1000 | 7998 | ms |
| tUVP | UVP 檢測延遲(去抖)選項(1)(4) | 支持 127 種延遲選項配置,步長為 1.953ms。出廠默認值 = 127ms(65 個計數)典型值 | 1.953 | 127 | 248 | ms |
| tOCC | OCC 檢測延遲(去抖)選項(1)(4) | 支持 31 種延遲選項配置,步長為 1.953ms。出廠默認值 = 7.8ms(4 個計數)典型值 | 1.953 | 7.8 | 60.5 | ms |
| tOCD | OCD 檢測延遲(去抖)選項(1)(4) | 支持 255 種延遲選項配置,步長為 0.244ms。出廠默認值 = 15.9ms(65 個計數)典型值 | 0.244 | 15.9 | 62.3 | ms |
| tSCD | SCD 檢測延遲(去抖)選項(1)(4) | 支持七種延遲選項配置,步長為 122μs。出廠默認值 = 244μs(2 個計數)典型值 | 122 | 244 | 854 | μs |
| TOTC_DLY | OTC 跳變延遲(2)(4) | 基于固件并可配置,步長為 1s。典型值為數據閃存出廠默認值。 | 0 | 2 | 255 | s |
| TOTD_DLY | OTD 跳變延遲(2)(4) | 0 | 2 | 255 | s | |
| TUTC_DLY | UTC 跳變延遲(2)(4) | 0 | 2 | 255 | s | |
| TUTD_DLY | UTD 跳變延遲(2)(4) | 0 | 2 | 255 | s | |
| 零伏(低壓)充電 | ||||||
| V0CHGR | 啟動零伏充電所需的充電器電壓 | V0CHGR = VPACK – VSS | 1.6 | V | ||