ZHCSW11C November 2024 – September 2025 BQ27Z758
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 數據保存時間 | 10 | 100 | 年 | |||
| 閃存編程寫入周期數 | 數據閃存 | 20000 | 周期 | |||
| 指令閃存 | 1000 | 周期 | ||||
| t(ROWPROG) | 行編程時間 | 40 | μs | |||
| t(MASSERASE) | 批量擦除時間 | TA = -40°C 至 85°C | 40 | ms | ||
| t(PAGEERASE) | 頁擦除時間 | TA = -40°C 至 85°C | 40 | ms | ||
| IFLASHREAD | 閃存讀取電流 | TA = -40°C 至 85°C | 1 | mA | ||
| IFLASHWRTIE | 閃存寫入電流 | TA = -40°C 至 85°C | 5 | mA | ||
| IFLASHERASE | 閃存擦除電流 | TA = -40°C 至 85°C | 15 | mA | ||