ZHCSW11C November 2024 – September 2025 BQ27Z758
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 BQ27Z758 處理器
- 6.3.2 電池參數(shù)測量
- 6.3.3 電源控制
- 6.3.4 ENAB 引腳
- 6.3.5 總線通信接口
- 6.3.6 低頻振蕩器
- 6.3.7 高頻振蕩器
- 6.3.8 1.8V 低壓降穩(wěn)壓器
- 6.3.9 內(nèi)部基準(zhǔn)電壓
- 6.3.10 放電過流保護(hù)
- 6.3.11 充電過流保護(hù)
- 6.3.12 放電短路電流保護(hù)
- 6.3.13 主要保護(hù)特性
- 6.3.14 電池檢測
- 6.3.15 Gas Gauging
- 6.3.16 零伏充電 (ZVCHG)
- 6.3.17 充電控制特性
- 6.3.18 身份驗(yàn)證
- 6.4 器件功能模式
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、可訂購和封裝信息
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- YAH|15
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
4 引腳配置和功能
圖 4-1 引腳排列圖表 4-1 引腳功能
| 引腳 | 說明 | ||
|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號(hào) | 類型(1) | |
| CHG | A1 | AO | 充電 FET (CHG) 驅(qū)動(dòng)器 |
| DSG | A2 | AO | 放電 FET (DSG) 驅(qū)動(dòng)器。在 DSG 引腳和 PACK+ 正極端子之間連接一個(gè)典型值為 10MΩ 的電阻器 (RDSG)。 |
| PACK | A3 | AI | 電池包輸入電壓檢測引腳。在 PACK 引腳和 PACK+ 正極端子之間連接一個(gè)典型值為 5kΩ 的電阻器 (RPACK)。 |
| VDD | B1 | P | LDO 穩(wěn)壓器輸入。在 VDD 和 VSS 之間連接一個(gè)典型值為 1μF 的電容器 (CVDD)。將電容器放置在靠近測量儀表的位置。 |
| BAT | B2 | AI | 電池電壓測量檢測輸入 |
| BAT_SP | B3 | AO | 電芯檢測輸出，正極 |
| BAT_SN | C3 | AO | 電芯檢測輸出，負(fù)極 |
| TS | C1 | AI | 通過內(nèi)部 18kΩ 上拉電阻器將熱敏電阻輸入連接到 ADC |
| GPO/TS1 | C2 | I/O | 通用輸出。具有內(nèi)部 18kΩ 上拉電阻器的可選 TS1 ADC 輸入通道 |
| VSS | D1 | P | 器件接地 |
| ENAB | D2 | I | 內(nèi)部弱上拉至 VDD 的低電平有效數(shù)字輸入。如果針對(duì)超低功耗 SHELF 模式啟用，將此信號(hào)驅(qū)動(dòng)至低電平將使器件喚醒。 |
| SDA | D3 | I/O | I2C 串行數(shù)據(jù)的數(shù)字輸入、開漏輸出。與典型值為 10kΩ 的上拉電阻器配合使用。 |
| SCL | E3 | I/O | I2C 串行時(shí)鐘的數(shù)字輸入、開漏輸出。與典型值為 10kΩ 的上拉電阻器配合使用。 |
| SRP | E1 | AI | 這是連接到內(nèi)部庫侖計(jì)數(shù)器外設(shè)的正模擬輸入引腳，用于在 SRP（正極側(cè)）和 SRN（負(fù)極側(cè)）之間集成小電壓。 |
| SRN | E2 | AI | 這是連接到內(nèi)部庫侖計(jì)數(shù)器外設(shè)的負(fù)模擬輸入引腳，用于在 SRP（正極側(cè)）和 SRN（負(fù)極側(cè)）之間集成小電壓。 |
(1) I/O = 數(shù)字輸入/輸出，AI = 模擬輸入，AO = 模擬輸出，P = 電源連接