ZHCSSD2 july   2023 AFE539F1-Q1

PRODUCTION DATA  

1.   1
2. 1 特性
3. 2 應用
4. 3 說明
5. 4 修訂歷史記錄
6. 5 引腳配置和功能
7. 6 規格
   1. 6.1  絕對最大額定值
   2. 6.2  ESD 等級
   3. 6.3  建議運行條件
   4. 6.4  熱性能信息
   5. 6.5  電氣特性：ADC 輸入
   6. 6.6  電氣特性：通用
   7. 6.7  時序要求：I2C?標準模式
   8. 6.8  時序要求：I2C 快速模式
   9. 6.9  時序要求：I2C?超快速模式
   10. 6.10 時序要求：SPI 寫入操作
   11. 6.11 時序要求：SPI 讀取和菊花鏈操作 (FSDO = 0)
   12. 6.12 時序要求：SPI 讀取和菊花鏈操作 (FSDO = 1)
   13. 6.13 時序要求：PWM 輸出
   14. 6.14 時序圖
   15. 6.15 典型特性
8. 7 詳細說明
   1. 7.1 概述
   2. 7.2 功能方框圖
   3. 7.3 特性說明
      1. 7.3.1 智能模擬前端 (AFE) 架構
      2. 7.3.2 編程接口
      3. 7.3.3 非易失性存儲器 (NVM)
         1. 7.3.3.1 NVM 循環冗余校驗 (CRC)
            1. 7.3.3.1.1 NVM-CRC-FAIL-USER 位
            2. 7.3.3.1.2 NVM-CRC-FAIL-INT 位
      4. 7.3.4 上電復位 (POR)
      5. 7.3.5 外部復位
      6. 7.3.6 寄存器映射鎖定
   4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 模數轉換器 (ADC) 模式
         1. 7.4.1.1 電壓基準選擇
            1. 7.4.1.1.1 電源作為基準
            2. 7.4.1.1.2 內部基準
            3. 7.4.1.1.3 外部基準
      2. 7.4.2 脈寬調制 (PWM) 模式
      3. 7.4.3 恒定功率耗散控制
   5. 7.5 編程
      1. 7.5.1 SPI 編程模式
      2. 7.5.2 I2C 編程模式
         1. 7.5.2.1 F/S 模式協議
         2. 7.5.2.2 I2C 更新序列
            1. 7.5.2.2.1 地址字節
            2. 7.5.2.2.2 命令字節
         3. 7.5.2.3 I2C 讀取序列
   6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1  NOP 寄存器（地址 = 00h）[復位 = 0000h]
      2. 7.6.2  REF-GAIN-CONFIG 寄存器（地址 = 15h）[復位 = 0401h]
      3. 7.6.3  COMMON-CONFIG 寄存器（地址 = 1Fh）[復位 = 13FFh]
      4. 7.6.4  COMMON-TRIGGER 寄存器（地址 = 20h）[復位 = 0000h]
      5. 7.6.5  COMMON-PWM-TRIG 寄存器（地址 = 21h）[復位 = 0001h]
      6. 7.6.6  GENERAL-STATUS 寄存器（地址 = 22h）[復位 = 00h、DEVICE-ID、VERSION-ID]
      7. 7.6.7  INTERFACE-CONFIG 寄存器（地址 = 26h）[復位 = 0000h]
      8. 7.6.8  STATE-MACHINE-CONFIG0 寄存器（地址 = 27h）[復位 = 0003h]
      9. 7.6.9  SRAM-CONFIG 寄存器（地址 = 2Bh）[復位 = 0000h]
      10. 7.6.10 SRAM-DATA 寄存器（地址 = 2Ch）[復位 = 0000h]
      11. 7.6.11 MAX-OUTPUT 寄存器（SRAM 地址 = 20h）[RESET = 007Fh]
      12. 7.6.12 MIN-OUTPUT 寄存器（SRAM 地址 = 21h）[復位 = 0000h]
      13. 7.6.13 FUNCTION-COEFFICIENT 寄存器（SRAM 地址 = 22h）[復位 = 01F4h]
      14. 7.6.14 PWM-FREQUENCY 寄存器（SRAM 地址 = 23h）[復位 = 000Bh]
9. 8 應用和實施
   1. 8.1 應用信息
   2. 8.2 典型應用
      1. 8.2.1 設計要求
      2. 8.2.2 詳細設計過程
      3. 8.2.3 應用曲線
   3. 8.3 電源相關建議
   4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
10. 9 器件和文檔支持
    1. 9.1 接收文檔更新通知
    2. 9.2 支持資源
    3. 9.3 商標
    4. 9.4 靜電放電警告
    5. 9.5 術語表
11. 10機械、封裝和可訂購信息