ZHCSSD2 july 2023 AFE539F1-Q1
PRODUCTION DATA
使用 表 7-1,以 VDD (5V) 作為增益為 1× 的基準,實現 (VDD/3) = 1.67V 的輸入范圍。在 48V 總線電壓和 1.67V ADC 輸入范圍下,所需的外部衰減為 28.74。因此,衰減電阻可以選擇為 RA = 100kΩ 和 RB = 3.6kΩ。為了將功率耗散限制在 50W,有效負載電阻 (RL-eff) 計算為 (VBUS2/P) = 46.08Ω。這意味著需要 (RL/RL-eff) = 10.85% 的最小占空比。在 7 位標度中,10.85% 對應于 13.89d。使用 方程式 4,可計算出所需的函數系數 K 為 443.6d (0x01BC)。
PWM 輸出引腳是一個開漏輸出。必須使用外部電阻,將 PWM 輸出引腳上拉至所需的 IO 電壓。PWM 頻率在 PWM-FREQUENCY SRAM 位置進行設置 (SRAM: 0x23)。表 7-2 定義了每個可用頻率的代碼。此示例使用 3.052kHz 的 PWM 頻率。在 MAX-OUTPUT 和 MIN-OUTPUT SRAM 位置設置最大和最小 PWM 占空比限值。PWM 占空比輸出通過一個 7 位代碼進行配置。最大代碼為 127d。127d 會將 PWM 占空比設置為 100%。表 7-3 提供了有關 AFE539F1-Q1 中 PWM 占空比計算的更多詳細信息。
按照以下指導原則在 AFE539F1-Q1 上設置寄存器:
| 寄存器字段名稱 | 地址[字段] | 地址位置 |
|---|---|---|
| MAX-OUTPUT | 0x20[6:0] | SRAM |
| MIN-OUTPUT | 0x21[6:0] | SRAM |
| FUNCTION-COEFFICIENT | 0x22[15:0] | SRAM |
| PWM-FREQUENCY | 0x23[4:0] | SRAM |
| REF-GAIN-CONFIG | 0x15[12:10][4:0] | 寄存器 |
| COMMON-CONFIG | 0x1F[15:0] | 寄存器 |
| STATE-MACHINE-CONFIG0 | 0x27[2:0] | 寄存器 |
以下是該應用示例的偽代碼:
//SYNTAX: WRITE <REGISTER NAME(Hex Code)>, <MSB DATA>, <LSB DATA>
//Stop the state machine
WRITE STATE-MACHINE-CONFIG0(0x27), 0x00, 0x01
//Stop the PWM generator
WRITE COMMON-PWM-TRIG(0x21), 0x00, 0x00
//Set the PWM frequncy to 3.052 kHz
WRITE PWM-FREQUENCY(SRAM 0x23), 0x00, 0x07
//Set the maximim and minimum PWM duty cycles
WRITE MAX-OUTPUT(SRAM 0x20), 0x00, 0x7F
WRITE MIN-OUTPUT(SRAM 0x21), 0x00, 0x00
//Set the function coefficient (K)
WRITE FUNCTION-COEFFICIENT(SRAM 0x22), 0x01, 0xBC
//Set the ADC reference to VDD (this is the device default)
WRITE REF-GAIN-CONFIG(0x15), 0x04, 0x01
//Power on ADC
WRITE COMMON-CONFIG(0x1F), 0x03, 0xFF
//Start the state machine
WRITE STATE-MACHINE-CONFIG0(0x27), 0x00, 0x03
//Save settings to NVM
WRITE COMMON-TRIGGER(0x20), 0x00, 0x02
//Pull the VREF/MODE pin high to enter standalone mode