關鍵限制因素 3：導通和關斷損耗

寄生環路電感會導致許多與開關相關的損耗，這會大大降低效率。讓我們再次以通過高側 MOSFET 傳導電感電流的降壓轉換器為例。關閉高側開關會中斷通過寄生電感的電流。瞬態電流 (di/dt) 以及寄生環路電感會引起電壓尖峰。di/dt 值越高，開關損耗越低，從而導致器件電壓應力越高。在某些關斷速度下，降壓轉換器高側開關會發生擊穿。因此，您必須審慎地控制開關速度，最大限度地提高效率，同時將直流/直流轉換器放置在安全工作區域內。有關詳細信息，請參閱應用手冊了解高輸出電流和高溫下工作的 SOA 曲線。

此外，降低高側 MOSFET 的漏極電荷也會導致其上出現額外的電壓尖峰，這是因為作為電感/電容網絡的一部分，用于吸收寄生環路電感中所存儲能量的電容較小。這帶來了另一個挑戰，因此最好是將漏極電荷保持在盡可能低的水平，以減少前面提到的與電荷相關的損耗。要減輕與這些寄生效應相關的總損耗，通常需要減少環路電感本身，同時采用其他柵極驅動器技術。