ZHCUCD7 October 2024 LMG2640
LMG2640EVM-090 集成了一個 LMG2640 器件和兩個 GaN FET，并采用半橋配置。所有的偏置和電平轉換元件都包含在內，使低側參考信號控制兩個 FET。高頻去耦電容器包含在優化布局中的功率級，以最小化寄生電感，并降低電壓過沖。
電路板的布局對于器件的性能和功能至關重要。TI 建議采用四層或層數更多的電路板，以減少布局的寄生電感，從而實現出色的性能。LMG2640 集成 650V GaN 半橋數據表中提供了布局指南，以優化焊點可靠性、電源環路電感、信號到地的連接、開關節點電容和散熱性能。
LMG2640EVM-090 上有一個 12 邏輯引腳接頭，其中 8 個引腳用于有源邏輯，而另外 4 個引腳沒有連接
| 引腳 | 引腳名稱 | 說明 |
|---|---|---|
| LS PWM | 1 | 用于低側 LMG2640 的邏輯門信號輸入。兼容 3.3V 和 5V 邏輯。以 AGND 為參考。 |
| 故障 | 3.6 | LMG2640 的 FAULT 輸出信號。以 AGND 為參考。 |
| HS PWM | 8 | 用于高側 LMG2640 的邏輯門信號輸入。兼容 3.3V 和 5V 邏輯。以 AGND 為參考。 |
| 12V | 9 | LMG2640EVM-090 的輔助電源輸入。 |
| 5V | 10 | 適用于 FAULT 信號上拉電阻器和電路調試的 5V 輔助電源。 |
| AGND | 11.12 | 邏輯和偏置電源接地回路引腳。功能上與 PGND隔離。 |
LMG2640EVM-090 上有 6 個電源引腳。
| 引腳 | 說明 |
|---|---|
| SW | 半橋配置的開關節點。 |
| HV | 半橋配置的輸入直流電壓。 |
| PGND | 半橋配置的電源接地。功能上與 AGND隔離。 |
只要通電，評估模塊上就會出現高壓電平。使用 EVM 時請采取適當的預防措施。