ZHCUC43A June 2024 – April 2025 BQ41Z50
本節使用 BQ41Z50 評估模塊來重點介紹 IT-DZT 在動態負載下的優勢。電池的特性如下表所示。這些參數對于配置電量監測計(如前面幾節中所述)至關重要。
| 電芯類型 | 鋰離子 |
|---|---|
| 設計容量 | 4680mAh |
| 充電電壓 | 4430mV |
| 端子電壓 | 3000mV |
| 設計電壓 | 3860mV |
下表顯示了該實現方案的 Data Memory 配置。這些參數可確保準確的電量監測和 IT-DZT 功能。
| [Gas Gauging][Current Thresholds][Dsg Current Threshold] | 100mA |
| [Gas Gauging][Current Thresholds][Chg Current Threshold] | 50mA |
| [Gas Gauging][IT Cfg][Term Voltage] | 8100mV |
| [Settings][Manufacturing][Mfg Status Init] | 18 |
| [Advanced Charge Algorithm][Termination Config][Charge Term Taper Current] | 269mA |
| [Gas Gauging][Design][Design Capacity mAh] | 4680mAh |
| [Gas Gauging][Design][Design Voltage] | 11580mV |
| [Gas Gauging][Design][Design Capacity cWh] | 5419cWh |
| [Gas Gauging][Current Thresholds][Quit Current Threshold] | 10mA |
在 [Settings][Configuration] 下,將 [Temperature Enable] 設置到右側的熱敏電阻引腳。本例中使用了 TS1 引腳,因此 [Temperature Enable] 設置為 2。BQ41Z50EVM 有 4 個熱敏電阻,必須根據實現方案中所用的熱敏電阻引腳進行設置。必須禁用所有未使用的 TS 引腳。圖 5-8 顯示了啟用相應 TS 引腳時的溫度使能寄存器。
圖 5-8 溫度使能寄存器TS1 是唯一安裝在電池上并用于測量電芯溫度的熱敏電阻。禁用所有其他熱敏電阻引腳,以防止其他溫度讀數產生干擾。在 [Settings][Configuration][Temperature Mode] 下,將 TS1 模式位清除為 Cell Temperature 模式,并將所有其他 TSn 模式設置為 FET Temperature mode。
使用“Commands”選項卡,重置電量監測計以清除 VOK 并臨時設置 RDIS。在開始一個周期之前,要確保電芯平衡,以避免放電深度 (DoD)、充電狀態 (SoC) 讀數不準確,甚至可能無法獲取 Qmax 更新。建議在第一個周期期間設置 RDIS,以防止電量監測計在獲取 Qmax 更新之前更新電阻。
該實現方案利用 Arbin 電池測試儀,根據預定義的計劃來執行充放電周期。此 IT-DZT 測試的自定義時間表包括充電、靜息、放電及脈沖負載,以模擬快速充電和放電序列。下面的 圖 5-9 說明了充電-靜息-放電周期。在放電例程期間,Ra 值會更新,波動的負載有助于確定電量監測計是否準確捕獲電阻變化。通過監測這些快速轉換,可以評估電量監測計是否有效接收和處理了電阻更新,從而確保在任意負載條件下實現準確的性能。
圖 5-9 電流和電壓隨時間的變化情況