本節使用 BQ41Z50 評估模塊來重點介紹 IT-DZT 在動態負載下的優勢。電池的特性如下表所示。這些參數對于配置電量監測計（如前面幾節中所述）至關重要。

下表顯示了該實現方案的 Data Memory 配置。這些參數可確保準確的電量監測和 IT-DZT 功能。

• 放電和充電電流閾值：分別設置為 100mA 和 50mA，以準確確定運行期間是放電模式還是充電模式。可根據應用來設置這些參數。確保 DSG 和 CHG 電流閾值都大于退出電流閾值。退出電流保持為默認 10mA。
• Term voltage：設置為 2,700mV * 3 節串聯電芯：8100mV。在電池制造商數據表中，必須將該值設置為最低電壓或端子電壓。
• Mfg Status Init：設置為 0x18。發送 GAUGE_EN 和 FET_EN 命令。
• Taper Current：根據 C/20 速率和 10% 開銷，設置為 269mA。建議使用 C/20 收尾電流。但是，電量監測計的收尾電流必須比充電器的收尾電流高 10-15%，以確保監測計在充電器切斷充電電流之前能夠平穩地終止充電。
• Design Capacity：根據電芯數據表設置為 4,680mAh。
• Design Voltage：設置為 3,860mV × 3 節串聯電芯 = 11,580mV。
• Design Capacity cWh：設置為 [Design Capacity]*[Design Voltage] = 4,680mAh × 11,580mV ~= 5,419cWh。
• Update Status：設置為 0x05。Qmax 已知。
  注： 根據下面 Update Status 值的說明，Update Status 也可以設置為 0x06，因為電芯的內部電阻可通過創建 chemID 來獲取。不過，該操作的目的是展示電量監測計如何準確跟蹤動態負載下電芯的內部阻抗。

在 [Settings][Configuration] 下，將 [Temperature Enable] 設置到右側的熱敏電阻引腳。本例中使用了 TS1 引腳，因此 [Temperature Enable] 設置為 2。BQ41Z50EVM 有 4 個熱敏電阻，必須根據實現方案中所用的熱敏電阻引腳進行設置。必須禁用所有未使用的 TS 引腳。圖 5-8 顯示了啟用相應 TS 引腳時的溫度使能寄存器。

圖 5-8 溫度使能寄存器

TS1 是唯一安裝在電池上并用于測量電芯溫度的熱敏電阻。禁用所有其他熱敏電阻引腳，以防止其他溫度讀數產生干擾。在 [Settings][Configuration][Temperature Mode] 下，將 TS1 模式位清除為 Cell Temperature 模式，并將所有其他 TSn 模式設置為 FET Temperature mode。

使用“Commands”選項卡，重置電量監測計以清除 VOK 并臨時設置 RDIS。在開始一個周期之前，要確保電芯平衡，以避免放電深度 (DoD)、充電狀態 (SoC) 讀數不準確，甚至可能無法獲取 Qmax 更新。建議在第一個周期期間設置 RDIS，以防止電量監測計在獲取 Qmax 更新之前更新電阻。

該實現方案利用 Arbin 電池測試儀，根據預定義的計劃來執行充放電周期。此 IT-DZT 測試的自定義時間表包括充電、靜息、放電及脈沖負載，以模擬快速充電和放電序列。下面的 圖 5-9 說明了充電-靜息-放電周期。在放電例程期間，Ra 值會更新，波動的負載有助于確定電量監測計是否準確捕獲電阻變化。通過監測這些快速轉換，可以評估電量監測計是否有效接收和處理了電阻更新，從而確保在任意負載條件下實現準確的性能。

圖 5-9 電流和電壓隨時間的變化情況