ZHCUC43A June 2024 – April 2025 BQ41Z50
5.6 結(jié)果
下圖顯示了在上一節(jié)中描述的 IT-DZT 示例實(shí)現(xiàn)過程中得到的各種指標(biāo)。
下面的 圖 5-11 顯示了動(dòng)態(tài)放電負(fù)載下的容量精度預(yù)測(cè)。請(qǐng)注意 SOC 誤差百分比如何在 2% 以內(nèi)。
圖 5-10 應(yīng)用加載
圖 5-11 SOC 精度有關(guān)整個(gè)周期中的剩余容量和滿電容量圖，請(qǐng)參閱 圖 5-12。請(qǐng)注意，F(xiàn)CC 在第一個(gè)周期結(jié)束之前無法達(dá)到精確的程度。請(qǐng)注意，F(xiàn)CC 在所有放電周期內(nèi)保持大致相同。
圖 5-12 剩余容量和 FCC 估算下面 圖 5-13 中左側(cè)的表顯示了循環(huán)開始時(shí)的 Ra 表，這些是在使用 bqStudio 對(duì) chemID 進(jìn)行編程后被編程到電量監(jiān)測(cè)計(jì)的默認(rèn)值。右側(cè)的表包含對(duì) Ra 表所做的更新。各個(gè)電芯 R_a 標(biāo)志更新為 0x0055，這意味著電芯阻抗和 Qmax 已更新并正在使用該表。左表所示內(nèi)容為測(cè)試前的情況。右表所示內(nèi)容為測(cè)試后的情況。
圖 5-13 Ra 更新下面的 圖 5-14 顯示了 IT 和 IT-DZT 算法的比較。藍(lán)色圖和橙色圖基于 BQ40Z50 IT 電量監(jiān)測(cè)計(jì)和 BQ41Z50 IT-DZT 電量監(jiān)測(cè)計(jì)，兩者都處于動(dòng)態(tài)負(fù)載下（如動(dòng)態(tài)負(fù)載所示）。這些會(huì)與進(jìn)行 ID 表征后獲取的理想 Ra（稱為“預(yù)期 Ra”）進(jìn)行比較。
圖 5-14 IT、IT-DZT 和 預(yù)期 Ra從上面的結(jié)果可以看出，與標(biāo)準(zhǔn) IT 算法相比，IT-DZT 算法在動(dòng)態(tài)負(fù)載場(chǎng)景下能更準(zhǔn)確地測(cè)量電阻，因?yàn)樗诜烹娭芷趦?nèi)需要較長的穩(wěn)定時(shí)間來更新 Ra 表。在電量監(jiān)測(cè)計(jì)上進(jìn)行的測(cè)試表明，負(fù)載有短暫的周期性波動(dòng)，這是 Dynamic Z-Track? 電量監(jiān)測(cè)計(jì)的理想用例。
Impedance Track? 在恒流負(fù)載下具有很高的精確度。恒定負(fù)載下的 IT 電量監(jiān)測(cè)計(jì) (BQ40Z50) 與動(dòng)態(tài)負(fù)載下的 BQ41Z50 進(jìn)行了比較，如下面的 圖 5-15 所示。請(qǐng)注意，IT-DZT 和 IT Gauging 之間的 R_a 值的差異小于 15%。
圖 5-15