如圖 5-28 所示，滿載 EVM 運(yùn)行可能導(dǎo)致 U1 封裝溫度非常高。在滿載運(yùn)行期間探測(cè)或操作 EVM 時(shí)，請(qǐng)小心不要觸碰 U1 外殼。

VIN = 15V VDD = 22.2 V IVDD = 68.3 mA VCOM = 4V ICOM = 0mA POUT = 1.51W TRISE = 44.1°C（請(qǐng)參閱方程式 1） 圖 5-27 VIN=15V，IVDD-VEE=68.3mA，1.51W

圖 5-28 功率損耗和外殼溫度與輸入電壓間的關(guān)系，TA=23°C，1.51W

1. 方程式 1. ${\mathrm{T}}_{\mathrm{R}\mathrm{I}\mathrm{S}\mathrm{E}}=67.1°\mathrm{C}-23°\mathrm{C}=44.1°\mathrm{C}$

1. 方程式 2. ${\mathrm{T}}_{\mathrm{R}\mathrm{I}\mathrm{S}\mathrm{E}}=35.2°\mathrm{C}-23°\mathrm{C}=12.2°\mathrm{C}$