按照以下步驟進(jìn)行充電模式驗(yàn)證，包括升壓運(yùn)行的預(yù)充電、CC 和 CV 階段。
- 在Topic Link Label2.4.1時(shí)應(yīng)已開(kāi)啟 PS1 和負(fù)載 #1。在 EVM GUI 中，一般情況下，我們建議讀取 REG22-REG27（或讀取所有寄存器）一次，以便顯示自上次讀取以來(lái)發(fā)生的所有中斷（來(lái)自狀態(tài)變化、例程自動(dòng)完成、故障）。讀取這些寄存器一秒鐘即可清除中斷。讀取寄存器之后，
- 驗(yàn)證 ? REG1B 報(bào)告一切正常，表示沒(méi)有 DPM 循環(huán)處于運(yùn)行狀態(tài)，沒(méi)有 WD 計(jì)時(shí)器故障（位 7-4），存在 VAC1（位 2），存在 VBUS（位 0），且電源正常（位 3）
- 在跳線 J17 上重新安裝分流器以啟用充電
- 驗(yàn)證 ? STAT LED (D13) 點(diǎn)亮
- 按如下方式進(jìn)行測(cè)量，請(qǐng)注意，您可能必須調(diào)整負(fù)載的輸出，以便適應(yīng)從負(fù)載至 EVM 的引線兩端的壓降：
- 測(cè)量 ? VVBUS-PGND（TP23 和 TP44）= 5.0V ±0.2V
- 測(cè)量 ? VBAT-PGND（TP29 和 TP46）= 5.0V ±0.2V
- 測(cè)量 ? IBAT_SENSE（TP19 和 TP20 之間 0.01 歐姆電阻兩端的電壓）= 240mA ±60mA
- 點(diǎn)擊“READ ALL REGISTERS”并驗(yàn)證 ? REG1Cb[7:5] 報(bào)告預(yù)充電
- 將負(fù)載 #1 調(diào)節(jié)電壓增大至 8.0V，然后按如下方式進(jìn)行測(cè)量，請(qǐng)注意，您可能必須調(diào)整負(fù)載的輸出，以便適應(yīng)從負(fù)載至 EVM 的引線兩端的壓降：
- 測(cè)量 ? VVBUS-PGND（TP23 和 TP44）= 5.0V ±0.2V
- 測(cè)量 ? VBAT-PGND（TP29 和 TP46）= 8.0V ±0.1V
- 測(cè)量 ? IBAT_SENSE（TP19 和 TP20 之間 0.01Ω 電阻兩端的電壓）= 500mA ±50mA
- 測(cè)量 ? IVAC1_SENSE（TP1 和 TP2 之間 0.01Ω 電阻兩端的電壓）= 900mA ±60mA
- 點(diǎn)擊“READ ALL REGISTERS”并驗(yàn)證 ? REG1Cb[7:5] 報(bào)告快速充電
- 將負(fù)載 #1 調(diào)節(jié)電壓增大至 8.4V 并按如下方式進(jìn)行測(cè)量：
- 測(cè)量 ? VBAT-PGND（TP29 和 TP46）= 8.4V ±0.04V
- 測(cè)量 ? IBAT_SENSE（TP19 和 TP20 之間 0.01Ω 電阻兩端的電壓）= 0mA ±10mA
- 點(diǎn)擊“READ ALL REGISTERS”并驗(yàn)證 ? REG1Cb[7:5] 報(bào)告終止
- 在充電模式下按上述內(nèi)容更改電壓和寄存器設(shè)置時(shí)的有用提示：
- 如果增大充電電流或在 SYS J3 端子添加負(fù)載，您可能需要使用“8-bit register”選項(xiàng)卡/Charger Single-bit Registers/REG14b[1] 禁用 EN_ILIM 位，并在“16-bit register”選項(xiàng)卡/Charger Multi-bit Registers/REG06b[8:0] 中增大 IINDPM 寄存器設(shè)置。
- 如果將輸入電壓提高到 8V 以上，使充電器進(jìn)入降壓模式，則您將需要使用“8-bit register”選項(xiàng)卡/Charger Multi-bit Registers/REG10b[5:4] 從 7V 默認(rèn)值增大 VAC_OVP。
- 在啟動(dòng)時(shí)使用 PROG 引腳（跳線 JP24 至 JP31）設(shè)置電池配置。也可以使用“16-bit register”選項(xiàng)卡/Charger Multi-bit Registers/REG0Ab[7:6] 更改電池配置。請(qǐng)注意，SYSMIN 和充電電流通過(guò)電芯配置進(jìn)行更改。
- 狀態(tài)、故障和中斷位報(bào)告是有用的調(diào)試工具。