8 結論

在既定的工作條件下，與 HotRod 封裝相比，增強型 HotRod QFN 封裝的性能未出現(xiàn)明顯下降。經(jīng)過非常仔細的檢查后發(fā)現(xiàn)，功率耗散會顯示出 50mW 的差異，但僅在 15A 負載電流下如此。另一方面，增強型 HotRod QFN 封裝可將開關節(jié)點振鈴減少 0.1V 并將負載瞬態(tài)輸出電壓過沖和下沖減少 1mV，相對來說可忽略不計。表 8-1 匯總了結果。

鑒于變量過多，比較結果通常并無定論，因此新的封裝技術往往會遭到質(zhì)疑。不過，在此示例中，電路差異很小，測量結果也很相似。采用增強型 HotRod QFN 封裝實現(xiàn)新型直流/直流轉(zhuǎn)換器后，采用此封裝進行設計便可作為一種低風險的替代方案，幫助供應商解決封裝內(nèi)部產(chǎn)生的寄生效應問題。

增強型 HotRod QFN 封裝提供了一種新穎的方法來改善集成電路的空間占用，可以實現(xiàn)更好的振鈴性能，與其他現(xiàn)有封裝技術相比，其布局布線可能更加友好、更加靈活。