4 熱性能比較

每個電路板均在 15A 電流下運行，當(dāng)每種設(shè)計在同樣的條件下運行時，測量了各自的 IC 溫度。增強型 HotRod QFN 封裝的 IC 溫度為 70.3°C，如圖 4-1 中所示。HotRod 封裝的溫度也是 70.3°C，如圖 4-2 中所示。未觀察到其他明顯的差異。可以有把握地得出結(jié)論，兩個封裝示例之間的溫度差異可能是由 IC 的批次間工藝變化引起的，如漏源導(dǎo)通電阻 (R_DS(on)) 或開關(guān)頻率。增強型 HotRod QFN 封裝與 HotRod 封裝相比，在熱性能上未帶來任何改進或降級。