ZHCAEQ0 November 2024 INA180 , INA180-Q1 , INA181 , INA181-Q1 , INA183 , INA185 , INA185-Q1 , INA186 , INA186-Q1 , INA190 , INA190-EP , INA190-Q1 , INA191 , INA199 , INA199-Q1 , INA209 , INA210 , INA210-Q1 , INA211 , INA211-Q1 , INA212 , INA212-Q1 , INA213 , INA213-Q1 , INA214 , INA214-Q1 , INA215 , INA215-Q1 , INA216 , INA2180 , INA2180-Q1 , INA2181 , INA2181-Q1 , INA219 , INA2191 , INA220 , INA220-Q1 , INA223 , INA225 , INA225-Q1 , INA226 , INA226-Q1 , INA228 , INA228-Q1 , INA229 , INA229-Q1 , INA2290 , INA230 , INA231 , INA232 , INA233 , INA234 , INA236 , INA237 , INA237-Q1 , INA238 , INA238-Q1 , INA239 , INA239-Q1 , INA240 , INA240-Q1 , INA241A , INA241A-Q1 , INA241B , INA241B-Q1 , INA250 , INA250-Q1 , INA253 , INA253-Q1 , INA254 , INA260 , INA280 , INA280-Q1 , INA281 , INA281-Q1 , INA290 , INA290-Q1 , INA293 , INA293-Q1 , INA296A , INA296A-Q1 , INA296B , INA296B-Q1 , INA300 , INA300-Q1 , INA301 , INA301-Q1 , INA302 , INA302-Q1 , INA303 , INA303-Q1 , INA310A , INA310A-Q1 , INA310B , INA310B-Q1 , INA3221 , INA3221-Q1 , INA381 , INA381-Q1 , INA4180 , INA4180-Q1 , INA4181 , INA4181-Q1 , INA4230 , INA4235 , INA4290 , INA700 , INA740B , INA745A , INA745B , INA745B-Q1 , INA750B , INA780B , INA790A , INA790B , INA791A , LMP8278Q-Q1 , LMP8601 , LMP8601-Q1 , LMP8602 , LMP8602-Q1 , LMP8603 , LMP8603-Q1 , LMP8640 , LMP8640-Q1 , LMP8640HV
閂鎖效應 (LU) 是 Vs 和 GND 之間的低阻抗路徑，會極大地增加電源電流，并很容易通過持續發熱損壞器件。盡管閂鎖效應并不總是會造成損壞，但可以通過下電上電來消除。
所有基于 CMOS 或 BiCMOS 或采用結隔離工藝的 IC 中都可能出現閂鎖效應，這是因為通過基本用法使用 NMOS 和 PMOS 晶體管時，會存在由 PN 結形成的固有橫向寄生晶體管和二極管。
引起閂鎖效應的三種方式是過壓、電流注入和快速瞬變。在正常器件工作條件下，這些事件可能會導致 ESD 單元被意外激活。如果 ESD 單元由 EOS 或快速邊沿瞬變充分觸發，可能會導致載波從 ESD 單元涌入器件基板，進而導致閂鎖效應。
大多數閂鎖效應是 ESD 單元或寄生通路導通造成的。ESD 單元是一個載波容器，當輸入端存在觸發因素時，載波容器可能會溢出布局和基板。
使用防護環可以緩解 IC 中的閂鎖效應。防護環充當載流阱，以防止載波進入器件基板。如果載波太多，閂鎖效應可能發生于防護環下方或上方。所有 ESD 單元都可以擁有自己的防護環。
然而，只有當電源引腳為低阻抗，并且去耦電容足夠大時，防護環才能正常工作。因此，如果不采用基本布局技術，放大器可能會變得更容易發生閂鎖效應。
如需了解更多信息，請參考閂鎖效應 白皮書，其中介紹了 IC 閂鎖效應的理論和實踐。